[发明专利]RF电路模块及其制造方法

说明书

本发明提供RF电路模块及其制造方法。构成能够提高散热性且能够小型化的RF电路模块。另外，构成抑制基于线材的电路的电特性的恶化且高频性能优异的RF电路模块。RF电路模块(113A)具备：模块基板(90)；第一基材(10)，构成第一电路；以及第二基材(20)，构成第二电路。第一电路包括控制第二电路的动作的控制电路，第二电路包括放大RF信号的高频放大电路。第二基材(20)安装于第一基材(10)，第一基材(10)以电路形成面对置的方式配置于模块基板(90)。第一基材(10)和第二基材(20)具有将第一电路和第二电路不经由模块基板(90)而电连接的电路间连接布线(32)。

技术领域

本发明涉及RF电路模块，特别是涉及对高频电力进行处理的电路所使用且具有发热部的RF电路模块及其制造方法。

背景技术

以往，在移动体通信、卫星通信等电子设备中，组装有将高频信号的发送接收功能一体化的RF前端模块。通过将高频放大器、控制高频放大器的控制IC、开关IC、双工器等搭载于模块基板，并对整体进行树脂模制，来构成RF前端模块。

例如，上述高频放大器是形成于GaAs基板的MMIC(Monolithic MicrowaveIntegrated Circuit：单片微波集成电路)，上述控制IC和开关IC是形成于Si基板的MMIC，单独地搭载于模块基板的表面。

另一方面，在专利文献1中公开如下的构造：为了将模块基板缩小化，在高频放大器层叠控制IC等，将高频放大器和控制IC等与模块基板上的电极线接合。

图25的(A)是与专利文献1所示的器件相同结构的器件的俯视图，图25的(B)是其剖视图。在该例中，在电路基板(LAMINATESUBSTRATE：层压基板)搭载有异质结双极晶体管的芯片(HBT DIE)，在该芯片上搭载有硅芯片(Si DIE)，异质结双极晶体管的芯片与电路基板之间、硅芯片与电路基板之间、硅芯片与异质结双极晶体管的芯片之间分别线接合。

专利文献1：美国专利申请公开第2015/0303971号说明书

在将高频放大器、控制IC、开关IC等单独地搭载于模块基板的表面的构造中，针对模块基板的这些部件的安装面积较大，将部件间连接的布线较长，信号损耗也较大。另外，高频放大器例如构成在GaAs基板上，因此高频放大器自身的散热性较低。

根据专利文献1所公开的构造，与占有面积比较大的将高频放大器、控制IC等并列设置的情况进行比较，能够将模块基板的尺寸缩小化。然而，需要用于线接合的空间，模块基板的缩小效果较小，而且由于在线材产生的寄生电感等的影响，特别是在高频区域中损耗变大，或者容易产生线路的阻抗不匹配。另外，从高频放大器产生的热的散热效果较低。

另一方面，伴随着高频放大器的近年来的更高速、高输出化的要求，其自身发热引起的特性界限成为课题。例如，在双极晶体管中，由于其集电极损耗而发热，双极晶体管自身升温，从而基极-发射极间饱和电压Vbe降低，由此集电极电流增大，Vbe进一步降低，若施加上述那样的正反馈，则会导致热失控，因此在能够控制的范围中所能处理的电力被限制。

因此，在构成RF电路模块的状态下，如果不能高效率地对高频放大器的热进行散热，则也不能实现RF电路模块的小型化。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种不受散热性制约且小型化的RF电路模块、或者小型且散热性较高的RF电路模块、以及该RF电路模块的制造方法。另外，本发明的目的在于提供一种抑制基于线材的电路的电特性的恶化且高频性能优异的RF电路模块以及该RF电路模块的制造方法。