[发明专利]光刻曝光方法、装置和存储介质

说明书

本申请公开了一种光刻曝光方法、装置和存储介质，该方法包括：一种光刻曝光方法，其特征在于，包括：获取投影掩模板的透射率和温度分布；根据透射率和温度分布对投影掩模板进行加热使投影掩模板的温度分布的均匀性达到目标值；预测投影掩模板的形变；根据形变对光刻曝光的套刻误差进行补偿，得到补偿后的曝光参数；根据补偿后的曝光参数，对晶圆的第i曝光区域进行曝光，1≤i≤N，N≥2，i、N为自然数，N为晶圆上的曝光区域的个数；令i＝i+1，重复上述步骤，直至i＝N。本申请通过获取投影掩模板的透射率和温度分布对其进行加热，使投影掩模板的温度分布较为均匀，从而在一定程度上降低了投影掩模板的形变，降低了套刻误差。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻曝光方法、装置和存储介质。

背景技术

在光刻工艺的曝光过程中，投影掩模板(reticle)不可避免会吸收一些入射光，吸收的光会转化为热量导致投影掩模板发生形变，从而导致套刻误差(overlay)。

相关技术中提供了一种光刻矫正方法，其通过光刻设备上的传感器(例如，传输图像传感器(transmission image sensor，TIS)或扫描光刻设备上的平行集成干涉仪(parallel integrated lens interferometry at scanner，PARIS)传感器)测量晶圆上的对版标记的空间分布，根据对版标记的空间分布预测投影掩模板的形变程度，从而根据预测得到的形变程度对套刻误差进行补偿。

然而，仅仅通过测量对版标记的空间分布对投影掩模板的形变造成的套刻误差进行矫正的准确度和精确度较差。

发明内容

本申请提供了一种光刻曝光方法、装置和存储介质，可以解决相关技术中提供的光刻矫正方法对套刻误差进行矫正的准确度和精确度较差的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种光刻曝光方法，其特征在于，包括：

获取投影掩模板的透射率和温度分布；

根据所述透射率和所述温度分布对所述投影掩模板进行加热使所述投影掩模板的温度分布的均匀性达到目标值；

预测所述投影掩模板的形变；

根据所述形变对所述光刻曝光的套刻误差进行补偿，得到补偿后的曝光参数；

根据所述补偿后的曝光参数，通过所述投影掩模板对晶圆的第i曝光区域进行曝光，1≤i≤N，N≥2，i、N为自然数，N为所述晶圆上的曝光区域的个数；

令i＝i+1，重复上述步骤，直至i＝N。

可选的，所述透射率是根据设置于所述投影掩模板上方的红外传感器测量得到的。

可选的，所述温度分布是根据设置于所述投影掩模板上方的温度传感器测量得到的。

可选的，所述投影掩模板上方设置有至少两个所述温度传感器。

可选的，所述预测所述投影掩模板的形变，包括：

通过对所述晶圆上的对版标记进行测量预测所述投影掩模板的形变。

可选的，所述通过对所述晶圆上的对版标记进行测量预测所述投影掩模板的形变，包括：

通过所述光刻设备上的图像传感器测量所述对版标记在晶圆工作台上的投影图形，所述晶圆工作台是放置所述晶圆的工作台；

根据所述投影图形的变化预测所述形变。

可选的，所述图形传感器包括TIS传感器或PARIS传感器。

可选的，所述根据所述形变对所述光刻曝光的套刻误差进行补偿，包括：