[发明专利]光刻曝光方法、装置和存储介质

权利要求书

1.一种光刻曝光方法，其特征在于，包括：

获取投影掩模板的透射率和温度分布；

根据所述透射率和所述温度分布对所述投影掩模板进行加热使所述投影掩模板的温度分布的均匀性达到目标值；

预测所述投影掩模板的形变；

根据所述形变对所述光刻曝光的套刻误差进行补偿，得到补偿后的曝光参数；

根据所述补偿后的曝光参数，通过所述投影掩模板对晶圆的第i曝光区域进行曝光，1≤i≤N，N≥2，i、N为自然数，N为所述晶圆上的曝光区域的个数；

令i＝i+1，重复上述步骤，直至i＝N。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透射率是根据设置于所述投影掩模板上方的红外传感器测量得到的。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述温度分布是根据设置于所述投影掩模板上方的温度传感器测量得到的。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述投影掩模板上方设置有至少两个所述温度传感器。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述预测所述投影掩模板的形变，包括：

通过对所述晶圆上的对版标记进行测量预测所述投影掩模板的形变。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过对所述晶圆上的对版标记进行测量预测所述投影掩模板的形变，包括：

通过所述光刻设备上的图像传感器测量所述对版标记在晶圆工作台上的投影图形，所述晶圆工作台是放置所述晶圆的工作台；

根据所述投影图形的变化预测所述形变。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述图形传感器包括TIS传感器或PARIS传感器。

8.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述根据所述形变对所述光刻曝光的套刻误差进行补偿，包括：

根据所述形变对晶圆工作台和掩模板工作台的相对位置进行矫正，所述晶圆工作台是放置所述晶圆的工作台，所述掩模板工作台是放置所述投影掩模板的工作台；

根据所述形变对所述光刻设备的镜头的位置和/或形变进行矫正。

9.一种控制装置，其特征在于，所述装置应用于光刻设备中，所述装置包括处理器和存储器，所述存储器中存储有至少一条指令或程序，所述指令或程序由所述处理器加载并执行以实现如权利要求1至8中任一所述的光刻曝光方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有至少一条指令，所述指令由处理器加载并执行以实现如权利要求1至8中任一所述的光刻曝光方法。