[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其形成方法。通过使有源区阵列中的有源区和位于有源区阵列外围的边缘围设部具有不同的离子掺杂状况，使得边缘围设部不具备与有源区相同的导电性能，从而可避免位线在跨越边缘围设部时与边缘围设部电性导通，有效改善了位线通过边缘围设部发生短路而使得电信号难以传导至有源区阵列中的问题，保障了存储器的正常运行。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

存储器(例如，动态随机存储器DRAM)通常包括用于存储数据的存储单元阵列，以及位于所述存储单元阵列外围的外围电路。其中，所述存储单元阵列由多个呈阵列排布的存储单元构成，以及存储单元通常是利用字线和位线连接至所述外围电路中，以通过所述字线和所述位线控制对应的存储单元运行。

具体而言，所述存储单元一般包括有源区，并且所述有源区进一步电性连接至所述位线。在执行存取等操作时，通过对选定的位线施加电信号，并进一步利用位线传导所述电性号至与其连接的有源区，从而控制对应的存储单元运行。然而，目前的存储器中，常常会出现部分存储单元难以被选取而无法执行其相应操作的问题，进而影响存储器的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器，以解决现有的存储器中存在部分存储单元难以被选取而无法执行其相应操作的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储器，包括：

衬底，所述衬底具有元胞区和周边区；

隔离结构，至少设置在所述元胞区的衬底中，以在所述元胞区中隔离出有源区阵列和围绕在所述有源区阵列外围的边缘围设部，以及所述有源区阵列包括多个利用所述隔离结构相互分隔的有源区，所述有源区中包含预定离子，所述边缘围设部中未包含所述预定离子；以及，

多条位线，位于所述衬底上并沿着第一方向延伸，以和所述有源区阵列中相应的有源区相交，并从所述有源区阵列经由所述边缘围设部进一步延伸至所述周边区中。

可选的，所述隔离结构包括多个第一隔离部和多个第二隔离部，多个所述第一隔离部沿着第二方向延伸以界定出所述有源区的长边界，所述第二隔离部形成在相邻的第一隔离部之间并连接邻近的第一隔离部以界定出所述有源区的短边界。

可选的，所述第一隔离部的端部延伸停止在所述边缘围设部中，以使所述边缘围设部靠近所述有源区阵列的内侧形成有多个延伸出的条状图形，所述条状图形构成无效有源区，所述位线还与至少部分无效有源区相交。

可选的，所述有源区阵列中位于离子有源区域内的有源区中掺杂有所述预定离子，所述离子有源区域的区域范围位于所述有源区阵列的区域范围之内，并使所述有源区阵列中位于边缘位置的边缘有源区至少端部位于所述离子注入区域之外而未包含有所述预定离子。

可选的，所述有源区阵列中至少部分边缘有源区的整体均位于所述离子有源区域之外而未包含有所述预定离子。

可选的，所述有源区中的预定离子包括源/漏掺杂离子以构成源/漏掺杂区，所述源/漏掺杂区延伸至衬底顶表面并和所述位线电性连接。

可选的，所述有源区的衬底包括基底区以及形成在基底区顶表面的所述源/漏掺杂区，所述边缘围设部的衬底仅包括基底区，所述基底区为第一掺杂类型，所述源/漏掺杂区为第二掺杂类型，并且所述基底区中第一掺杂类型离子的离子浓度低于所述源/漏掺杂区中的第二掺杂类型离子的离子浓度。

可选的，所述有源区的衬底包括由衬底顶表面至衬底内部依次排布的所述源/漏掺杂区、阱区和基底区；以及，在所述边缘围设部内仅包括基底区。

可选的，所述存储器还包括：接触插塞，设置在所述位线位于所述周边区的端部上，以电性连接所述位线。

本发明的又一目的在于提供一种存储器的形成方法，包括：