[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有元胞区和周边区；

隔离结构，至少设置在所述元胞区的衬底中，以在所述元胞区中隔离出有源区阵列和围绕在所述有源区阵列外围的边缘围设部，以及所述有源区阵列包括多个利用所述隔离结构相互分隔的有源区，所述有源区的衬底中包含预定离子，所述边缘围设部的衬底中未包含所述预定离子；以及，

多条位线，位于所述衬底上并沿着第一方向延伸，以和所述有源区阵列中相应的有源区相交，并从所述有源区阵列经由所述边缘围设部进一步延伸至所述周边区中。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述隔离结构包括多个第一隔离部和多个第二隔离部，多个所述第一隔离部沿着第二方向延伸以界定出所述有源区的长边界，所述第二隔离部形成在相邻的第一隔离部之间并连接邻近的第一隔离部以界定出所述有源区的短边界。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一隔离部的端部延伸停止在所述边缘围设部中，以使所述边缘围设部靠近所述有源区阵列的内侧形成有多个延伸出的条状图形，所述条状图形构成无效有源区，所述位线还与至少部分无效有源区相交。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述有源区阵列中位于离子有源区域内的有源区中掺杂有所述预定离子，所述离子有源区域的区域范围位于所述有源区阵列的区域范围之内，并使所述有源区阵列中位于边缘位置的边缘有源区至少端部位于所述离子有源区域之外而未包含有所述预定离子。

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述有源区阵列中至少部分边缘有源区的整体均位于所述离子有源区域之外而未包含有所述预定离子。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述有源区中的预定离子包括源/漏掺杂离子以构成源/漏掺杂区，所述源/漏掺杂区延伸至衬底顶表面并和所述位线电性连接。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述有源区的衬底包括基底区以及形成在基底区顶表面的所述源/漏掺杂区，所述边缘围设部的衬底仅包括基底区，所述基底区为第一掺杂类型，所述源/漏掺杂区为第二掺杂类型，并且所述基底区中第一掺杂类型离子的离子浓度低于所述源/漏掺杂区中的第二掺杂类型离子的离子浓度。

8.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述有源区的衬底包括由衬底顶表面至衬底内部依次排布的所述源/漏掺杂区、阱区和基底区；以及，在所述边缘围设部内仅包括基底区。

9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：

接触插塞，设置在所述位线位于所述周边区的端部上，以电性连接所述位线。

10.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有元胞区和周边区；

形成隔离结构在衬底中，所述隔离结构在所述元胞区中隔离出有源区阵列和围绕在所述有源区阵列外围的边缘围设部，以及所述有源区阵列包括多个利用所述隔离结构相互分隔的有源区；

至少掩模遮盖所述边缘围设部，并对所述有源区阵列执行离子注入工艺，以注入预定离子至所述有源区内；

形成多条位线在所述衬底上，所述位线沿着第一方向延伸以和所述有源区阵列中相应的有源区相交，并从所述有源区阵列经由所述边缘围设部进一步延伸至所述周边区中。

11.如权利要求10所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的形成方法包括：

形成隔离沟槽在所述衬底中，所述隔离沟槽包括沿着第二方向延伸的多个第一沟槽和多个第二沟槽，所述第二沟槽形成在相邻的第一沟槽之间并连通邻近的第一沟槽；以及，

填充绝缘材料在所述隔离沟槽中，以形成对应于所述第一沟槽的第一隔离部和对应于第二沟槽的第二隔离部。