[发明专利]灰化设备及灰化方法

说明书

本发明公开了一种灰化设备及灰化方法。根据本发明实施例的灰化设备包括反应室，用于晶圆的灰化处理，得到灰化后晶圆；传送通道，与所述反应室相连接，用于传送所述灰化后晶圆至冷却室；以及所述冷却室，与所述传送通道相连接以接收所述灰化后晶圆，并用于所述灰化后晶圆的冷却，其中，所述灰化处理的温度为第一温度；所述传送通道中的至少一部分的温度为第二温度；所述冷却室的温度为第三温度；所述第二温度低于所述第一温度，所述第三温度低于所述第二温度。根据本发明实施例的灰化设备及灰化方法，能够避免晶圆因温度骤冷而发生破片。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种灰化设备及灰化方法。

背景技术

半导体器件的制造过程包括薄膜沉淀(Film Depo)、曝光(Photo)、刻蚀(Etch)、光刻胶去除(PR Strip)以及湿法清洗(Wet clean)等。其中，光刻胶去除(灰化)是在灰化设备(例如是等离子去胶机，Plasma Asher)上进行的。

在现有技术中，随着层数的不断增加、厚度的不断增加，晶圆(wafer)表面的应力会越来越大，传统CMOS工艺制程时间很短，晶圆温度较低，尚能勉强适应现有的制造工艺。但是目前的核心/存储区制程时间很长，晶圆的温度会较高，更大的应力以及更大的温度差，导致晶圆更容易在冷却室(cooling station)中发生碎片。

因此，希望有一种新的灰化设备及灰化方法，能够克服上述问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种灰化设备及灰化方法，从而避免晶圆因温度骤冷而发生破片。

根据本发明的一方面，提供一种灰化设备，包括反应室，用于晶圆的灰化处理，得到灰化后晶圆；传送通道，与所述反应室相连接，用于传送所述灰化后晶圆至冷却室；以及所述冷却室，与所述传送通道相连接以接收所述灰化后晶圆，并用于所述灰化后晶圆的冷却，其中，所述灰化处理的温度为第一温度；所述传送通道中的至少一部分的温度为第二温度；所述冷却室的温度为第三温度；所述第二温度低于所述第一温度，所述第三温度低于所述第二温度。

优选地，所述反应室还包括静电吸附盘，用于放置所述晶圆，其中，进行所述灰化处理时，所述静电吸附盘的温度为所述第一温度。

优选地，所述传送通道设置有加热单元，所述加热单元用于所述传送通道的加热。

优选地，所述传送通道还包括温度感测单元，用于检测所述传送通道中的温度，其中，所述加热单元根据所述温度感测单元检测的温度对所述传送通道进行加热，以控制所述传送通道中的至少一部分的温度维持在所述第二温度。

优选地，所述灰化设备还包括晶圆传送盒，与所述冷却室相连接，以接收在所述冷却室中冷却后的所述灰化后晶圆。

优选地，所述传送通道还包括真空传送模块，与所述反应室相连接，以接收反应室传送来的所述灰化后晶圆；预真空传送模块，与所述真空传送模块相连接，以接收经所述真空传送模块传来的所述灰化后晶圆；以及大气传送模块，与所述预真空传送模块相连接，以接收经所述预真空传送模块传来的所述灰化后晶圆。

优选地，所述真空传送模块中的温度为所述第二温度。

优选地，所述预真空传送模块中的温度为所述第二温度。

优选地，所述真空传送模块为一腔体；所述真空传送模块设置有腔壁；加热单元，设置在所述腔壁内，用于所述腔体内部的加热；以及温度感测单元，所述温度感测单元的至少一部分设置在所述腔体内部，用于检测所述腔体内部的温度，其中，所述加热单元根据所述温度感测单元检测的温度对所述腔体内部进行加热，以维持所述腔体内部的温度为所述第二温度。