[发明专利]一种半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110258183.7 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112909079A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 孙访策;黄冲;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成阻挡层；
在所述半导体衬底中形成浅沟槽结构；
通过DSTI CMP工艺平坦化处理所述浅沟槽结构；以及
去除所述阻挡层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成阻挡层之前，所述半导体衬底上还形成有第一垫底氧化层。
4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成浅沟槽结构包括：
依次刻蚀所述阻挡层、第一垫底氧化层和半导体衬底，并刻蚀停止在所述半导体衬底中，以形成浅沟槽；
热处理所述半导体衬底，以在所述浅沟槽中形成第二垫底氧化层；以及
在所述浅沟槽中形成填充层，以形成浅沟槽结构。
5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述填充层通过高密度等离子氧化层沉积工艺在所述浅沟槽中形成，且所述填充层同时还形成于所述阻挡层上。
6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料包括二氧化硅，所述阻挡层的材料包括氮化硅。
7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过DSTI CMP工艺平坦化处理所述浅沟槽结构中时，选择所述填充层和阻挡层的高选择比的研磨液。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在DSTI CMP工艺之后，通过刻蚀工艺刻蚀去除所述STI中部分厚度的填充层。
9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上依次形成栅极结构、源区和漏区，从而形成半导体器件，其中，所述源区和漏区位于相邻的所述浅沟槽结构之间，且所述栅极结构位于所述源区和漏区之间，并将所述源区和漏区隔开。
10.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1～9中任一项所述的半导体器件的形成方法制备而成。
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