[发明专利]一种线性放电集成一体化自主均衡芯片

权利要求书

1.一种线性放电集成一体化自主均衡芯片，其特征在于，包括：

高精度基准电压模块、放电电阻RS、第一电阻R1、第二电阻R2、第一放大器AMP1、第二放大器AMP2、第一MOS管M1、第二MOS管M2和功率管MP；其中，第一MOS管M1为PMOS管，第二MOS管M2和功率管MP为NMOS管；

所述高精度基准电压模块连接锂电池的正极VBAT+，输出基准电压V_REF；

所述第一MOS管M1的源极连接锂电池的正极VBAT+，漏极通过串联的第一电阻R1和第二电阻R2接地；所述第一放大器AMP1的负输入端连接基准电压V_REF，正输入端通过第二电阻R2接地，输出端连接所述第一MOS管M1的栅极；

所述放电电阻RS的一端连接所述第一MOS管M1的漏极，另一端连接所述第二MOS管M2的漏极；

所述第二MOS管M2的漏极连接所述第二放大器AMP2的正输入端，源极连接锂电池的负极VBAT-；所述功率管MP的漏极连接锂电池的正极VBAT+，源极连接锂电池的负极VBAT-；所述第二放大器AMP2的负输入端连接基准电压V_REF，输出端连接所述第二MOS管M2、所述功率管MP的栅极；

其中，所述高精度基准电压模块包括高阶带隙基准单元和LDO；

所述高阶带隙基准单元包括第一PMOS管M₁、第二PMOS管M₂、第三PMOS管M₃、第五PMOS管M₅、第一基准电阻R₁至第四基准电阻R₄、第一三极管Q1至第三三极管Q3、电流源I、第一基准放大器AMP₁、第二基准放大器AMP₂；其中第一三极管Q1至第三三极管Q3为PNP三极管，第一基准放大器AMP₁为双输入放大器；

第一PMOS管M₁、第二PMOS管M₂、第三PMOS管M₃的源极以及电流源I的输入连接锂电池的正极VBAT+；

第一PMOS管M₁的栅极连接漏极，并连接第二PMOS管M₂的栅极；第一PMOS管M₁的漏极连接第五PMOS管M₅的源极，第五PMOS管M₅的漏极通过第四基准电阻R₄接地；

第二PMOS管M₂的漏极连接第三三极管Q3的发射极，第三三极管Q3的基极和集电极接地；

第三PMOS管M₃的漏极通过第二基准电阻R₂连接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的基极和集电极接地；

电流源I的输出通过串联的第一基准电阻R₁和第三基准电阻R₃连接第一三极管Q1的发射极，第一三极管Q1的基极和集电极接地；电流源I的输出还连接第三PMOS管M₃的漏极，并引出带隙基准电压V_BG，用于接入LDO；

第一基准放大器AMP₁的第一正输入端、第二正输入端连接第二三极管Q2的发射极，第一负输入端连接第一基准电阻R₁和第三基准电阻R₃之间的节点，第二负输入端连接第三三极管Q3的发射极，输出端连接第三PMOS管M₃的栅极；

第二基准放大器AMP₂的正输入端连接第二三极管Q2的发射极，负输入端连接第五PMOS管M₅的漏极，输出端连接第五PMOS管M₅的栅极。