[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

提供了半导体装置及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成通路；在所述第一电介质层上顺序地形成第一金属图案、第一金属氧化物图案、第二金属图案和抗反射图案；和执行退火工艺以使所述第一金属氧化物图案和所述第二金属图案彼此反应以形成第二金属氧化物图案。形成所述第二金属氧化物图案包括通过所述第二金属图案的金属元素与所述第一金属氧化物图案的氧元素之间的反应来形成所述第二金属氧化物图案。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年3月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0037771和于2020年7月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0095459的优先权，这些韩国专利申请的公开内容均通过引用被整体并入本文。

技术领域

一些示例实施例涉及半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子工业中是有益的。半导体装置可以包括存储逻辑数据的半导体存储装置、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑装置和/或具有存储元件和逻辑元件的混合半导体装置。随着电子工业的前进发展，半导体装置越来越需要高度集成。例如，越来越需要高可靠性、高速度和/或多功能性的半导体装置。半导体装置逐渐变得复杂并且被集成以满足这些要求的特性。

发明内容

发明构思的一些示例实施例提供了一种电特性得到改善的半导体装置。

发明构思的一些示例实施例提供一种制造电特性得到改善的半导体装置的方法。

根据一些示例实施例，制造半导体装置的方法可以包括：在衬底上形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成通路；在所述第一电介质层上顺序地形成第一金属图案、第一金属氧化物图案、第二金属图案和抗反射图案；和执行退火工艺以使所述第一金属氧化物图案和所述第二金属图案彼此反应以形成第二金属氧化物图案。形成所述第二金属氧化物图案包括通过所述第二金属图案的金属元素与所述第一金属氧化物图案的氧元素之间的反应来形成所述第二金属氧化物图案。

根据一些示例实施例，半导体装置可以包括：衬底；位于所述衬底上的第一金属图案；位于所述第一金属图案上的第二金属图案；位于所述第一金属图案与所述第二金属图案之间的通路；位于所述第二金属图案上的金属氧化物图案；和位于所述金属氧化物图案上的抗反射图案。所述第二金属图案包括铝(Al)，所述金属氧化物图案包括氧化钛，所述抗反射图案包括氮化钛，所述通路包括与所述第二金属图案的金属材料不同的金属材料，并且所述第一金属图案包括与所述第二金属图案的金属材料和所述通路的金属材料不同的金属材料。

根据一些示例实施例，半导体装置可以包括：衬底；位于所述衬底上的第一电介质层；位于所述第一电介质层上的金属图案；位于所述金属图案上的金属氧化物图案；位于所述金属氧化物图案上的抗反射图案；位于所述第一电介质层上的第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述金属图案、所述金属氧化物图案和所述抗反射图案；穿透所述第一电介质层并连接到所述金属图案的第一通路；和穿透所述第二电介质层的一部分并连接到所述金属图案的第二通路。所述金属图案包括铝(Al)，所述金属氧化物图案包括氧化钛，所述抗反射图案包括氮化钛，并且所述第一通路和所述第二通路包括与所述金属图案的材料不同的材料。

附图说明

图1示出了示出根据发明构思的一些示例实施例的半导体装置的简化截面图。

图2示出了示出根据发明构思的一些示例实施例的半导体装置的简化截面图。

图3至图12示出了示出根据发明构思的一些示例实施例的制造半导体装置的方法的截面图。

具体实施方式

现在将参照附图详细描述发明构思的一些示例实施例，以帮助清楚地解释本发明构思。