[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一电介质层；

在所述第一电介质层中形成通路；

在所述第一电介质层上顺序地形成第一金属图案、第一金属氧化物图案、第二金属图案和抗反射图案；和

执行退火工艺以使所述第一金属氧化物图案和所述第二金属图案彼此反应以形成第二金属氧化物图案，

其中，形成所述第二金属氧化物图案包括通过所述第二金属图案的金属元素与所述第一金属氧化物图案的氧元素之间的反应来形成所述第二金属氧化物图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一电介质层上顺序地形成所述第一金属图案、所述第一金属氧化物图案、所述第二金属图案和所述抗反射图案包括：

在所述第一电介质层上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成第一金属氧化物层；

在所述第一金属氧化物层上顺序地形成第二金属层和抗反射层；和

蚀刻所述第一金属层、所述第一金属氧化物层、所述第二金属层和所述抗反射层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述通路包括与所述第一金属图案的材料、所述第二金属图案的材料或者所述第一金属图案的材料和所述第二金属图案的材料不同的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属图案和所述第二金属图案包括彼此不同的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一金属图案包括铝，并且

所述第二金属图案包括钛。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述抗反射图案包括导电金属氮化物，并且

所述抗反射图案包括与所述第二金属图案的金属元素相同的金属元素。

7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在执行所述退火工艺之前，在所述抗反射图案上形成第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一金属图案的侧表面、所述第一金属氧化物图案的侧表面、所述第二金属图案的侧表面以及所述抗反射图案的侧表面；和

在所述第二电介质层上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二电介质层，

其中，所述钝化层包括与所述第一电介质层的材料和所述第二电介质层的材料不同的材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一电介质层中形成所述通路包括：

去除所述第一电介质层的一部分以形成通孔；

形成填充所述通孔的一部分的阻挡层；和

形成填充所述通孔的剩余部分的所述通路。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述阻挡层包括与所述抗反射图案的材料不同的材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火工艺在300℃至500℃下执行。

11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

衬底；

第一金属图案，位于所述衬底上；

第二金属图案，位于所述第一金属图案上；

通路，位于所述第一金属图案与所述第二金属图案之间；

金属氧化物图案，位于所述第二金属图案上；和

抗反射图案，位于所述金属氧化物图案上，

其中，所述第二金属图案包括铝，

所述金属氧化物图案包括氧化钛，

所述抗反射图案包括氮化钛，

所述通路包括与所述第二金属图案的金属材料不同的金属材料，并且

所述第一金属图案包括与所述第二金属图案的金属材料和所述通路的金属材料不同的金属材料。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

所述通路包括钨，并且

所述第一金属图案包括铜。