[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本公开提供了半导体结构及其制造方法，在目前BGA(Ball Grid Array，球栅阵列)基板紧缺以及FOSub(Fan‑Out结合Substrate)基板良率低的情况下，利用基板(Substrate)与重布线中介层(RDL interposer)的结合，以实现取代多层BGA基板，并且利用FCB(Flip Chip Bonding，倒装芯片键合)技术结合基板和重布线中介层，利用模塑(molding)技术制作重布线中介层，提高了产品良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

目前多层BGA基板可以同时包含粗线路和细线路，但由于基板层数多以及半导体尺寸大等因素，导致BGA基板严重短缺，供不应求。为此出现了FOSub(Fan-Out结合Substrate)基板，但目前将Fan-Out线路(细线路)与Substrate线路(粗线路)结合且通过Via(导通孔)做电连接的FOSub基板的开发尚需要可靠度以及热应力分析的验证，缓不济急。

发明内容

本公开提供了半导体结构及其制造方法。

第一方面，本公开提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：基板；重布线中介层，设于基板上，重布线中介层包括重布线层、导电柱、第一模封层以及电接触件，第一模封层设于电接触件上，导电柱嵌入第一模封层中，重布线层设于第一模封层上，第一模封层为有机材料。

在一些可选的实施方式中，重布线中介层还包括：种子层，设于第一模封层与电接触件之间，种子层包括自下而上依次设置的阻挡层和导电层。

在一些可选的实施方式中，导电柱靠近种子层的表面为曲面。

在一些可选的实施方式中，导电柱的高度在60微米到100微米之间和/或导电柱的直径为80微米。

在一些可选的实施方式中，第一模封层具有上表面和下表面，上表面的粗糙度大于下表面的粗糙度。

在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：第一底部填充材，包覆电接触件以及填充第一模封层与基板之间的缝隙。

在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：芯片，设于重布线中介层上。

在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：第二底部填充材，填充芯片与重布线中介层之间的缝隙。

在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：第二模封材，包覆重布线中介层、第二底部填充材以及芯片。

在一些可选的实施方式中，第一模封层的刚性大于第二模封材的刚性。

在一些可选的实施方式中，第二模封材露出芯片的背面；以及该半导体结构还包括：设于芯片上的散热片。

在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：外部电接触件，基板设于外部电接触件上。

在一些可选的实施方式中，芯片为专用集成电路ASIC芯片和/或高宽带存储器HBM。

第二方面，本公开提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：在第一载体上设置导电柱；填入第一模封材，以包覆导电柱；研磨第一模封材的上表面以露出导电柱，形成第一模封层；在第一模封层的上表面设置重布线层；在第一模封层的下表面设置电接触件，导电柱、第一模封层、重布线层以及电接触件共同形成重布线中介层；将重布线中介层设置在基板的上表面，以使重布线中介层通过电接触件与基板电性联通。

在一些可选的实施方式中，在在第一载体上设置导电柱之前，该方法还包括：在第一载体上设置阻挡层；在阻挡层上设置导电层，阻挡层和导电性共同形成种子层。

在一些可选的实施方式中，该方法还包括：填入第一底部填充材，以包覆电接触件以及填充第一模封层与基板之间的缝隙。