[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

基板；

重布线中介层，设于所述基板上，所述重布线中介层包括重布线层、导电柱、第一模封层以及电接触件，所述第一模封层设于所述电接触件上，所述导电柱嵌入所述第一模封层中，所述重布线层设于所述第一模封层上，所述第一模封层为有机材料。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述重布线中介层还包括：

种子层，设于所述第一模封层与所述电接触件之间，所述种子层包括自下而上依次设置的阻挡层和导电层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述导电柱靠近所述种子层的表面为曲面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导电柱的高度在60微米到100微米之间和/或所述导电柱的直径为80微米。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一模封层具有上表面和下表面，所述上表面的粗糙度大于所述下表面的粗糙度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：

第一底部填充材，包覆所述电接触件以及填充所述第一模封层与所述基板之间的缝隙。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：

芯片，设于所述重布线中介层上。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：

第二底部填充材，填充所述芯片与所述重布线中介层之间的缝隙。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：

第二模封材，包覆所述重布线中介层、所述第二底部填充材以及所述芯片。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述第一模封层的刚性大于所述第二模封材的刚性。

11.根据权利要求9或10所述的半导体结构，其中，所述第二模封材露出所述芯片的背面；以及

所述半导体结构还包括：设于所述芯片上的散热片。

12.根据权利要求9或10所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：

外部电接触件，所述基板设于所述外部电接触件上。

13.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述芯片为专用集成电路ASIC芯片和/或高宽带存储器HBM。

14.一种制造半导体结构的方法，包括：

在第一载体上设置导电柱；

填入第一模封材，以包覆所述导电柱；

研磨所述第一模封材的上表面以露出所述导电柱，形成第一模封层；

在所述第一模封层的上表面设置重布线层；

在所述第一模封层的下表面设置电接触件，所述导电柱、所述第一模封层、所述重布线层以及所述电接触件共同形成重布线中介层；

将所述重布线中介层设置在基板的上表面，以使所述重布线中介层通过所述电接触件与所述基板电性联通。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述在第一载体上设置导电柱之前，所述方法还包括：

在所述第一载体上设置阻挡层；

在所述阻挡层上设置导电层，所述阻挡层和所述导电性共同形成种子层。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述方法还包括：

填入第一底部填充材，以包覆所述电接触件以及填充所述第一模封层与所述基板之间的缝隙。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述方法还包括：

将芯片设置于所述重布线中介层上。