[发明专利]半导体制造系统、衬底位移组合件和处理半导体衬底方法在审

专利信息
申请号: 202110254978.0 申请日: 2021-03-09
公开(公告)号: CN113113344A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 廖崇宪;谢锦升 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/677;C23C16/458
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 制造 系统 衬底 位移 组合 处理 方法
【说明书】:

发明实施例是有关于一种半导体制造系统、一种衬底位移组合件和一种处理半导体衬底方法。公开一种衬底位移组合件以在半导体处理期间提高衬底位移组合件的耐用性。在一个实施例中,一种半导体制造系统包括:衬底支撑件,其中衬底支撑件被配置成具有多个销;以及衬底位移组合件,用于通过所述多个销在与衬底支撑件的顶表面垂直的第一方向上对衬底支撑件上的衬底进行位移,其中衬底位移组合件包括一对装载叉、耦合件及驱动轴,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区,其中耦合件通过在第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到基座区,其中耦合件还通过在第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到驱动轴。

技术领域

本发明实施例是有关于一种半导体制造系统、对衬底支撑件上的衬底进行位移的衬底位移组合件和一种处理半导体衬底的方法。

背景技术

在半导体集成电路(integrated circuit,IC)行业中,不断要求器件尺寸越小且电路包装密度(circuit packing density)越高。此要求推动半导体行业开发新材料及复杂的工艺。举例来说,当将在晶片上形成特征(例如,晶体管的栅极/漏极/源极特征、水平内连线或垂直通孔等)时,晶片通常经过包括多个处理站的机构(mechanism),这些处理站通常使用不同的工艺工具来实行各种操作,例如(举例来说)清洁、光刻、介电质沉积、干式刻蚀/湿式刻蚀及金属沉积。然而,在处理站中用于提升及移动衬底的机构经常面临影响制造良率的频繁机械故障。因此,现有机构并不完全令人满意。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体制造系统包括:衬底支撑件,其中所述衬底支撑件被配置成具有多个销;以及衬底位移组合件,用于通过所述多个销在与所述衬底支撑件的顶表面垂直的第一方向上对所述衬底支撑件上的衬底进行位移,其中所述衬底位移组合件包括一对装载叉、耦合件及驱动轴,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区,其中所述耦合件通过在所述第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到所述基座区,其中所述耦合件还通过在所述第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到所述驱动轴。

本发明实施例提供一种对衬底支撑件上的衬底进行位移的衬底位移组合件包括:一对装载叉,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区;耦合件,其中所述耦合件包括凸缘区及管道区,其中所述耦合件通过在第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到所述基座区;以及驱动轴,其中所述驱动轴通过在所述第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到所述耦合件。

本发明实施例提供一种处理半导体衬底的方法:组装衬底位移组合件;使用所述衬底位移组合件在第一方向上对衬底进行位移;以及对所述衬底实行半导体制造工艺,其中所述衬底位移组合件包括一对装载叉、耦合件及驱动轴,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区,其中所述耦合件包括凸缘区及管道区,其中所述耦合件通过在第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到所述基座区;且其中所述驱动轴通过在所述第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到所述耦合件。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明,能最好地理解本公开的各方面。应注意,各种特征未必按比例绘制。事实上,为说明的清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸及几何形状。

图1A说明根据本公开一些实施例的半导体处理系统的示例性方块图(blockdiagram)。

图1B说明根据本公开一些实施例的局部计算机(local computer)的示例性方块图,所述局部计算机可用于实施本文中所述的方法。

图2A说明根据本公开一些实施例的示例性半导体处理系统。

图2B到图2C说明根据本公开一些实施例的衬底位移组合件(或称总成(assembly))的示例性立体图及侧视图。

图3A到图3B说明根据本公开一些实施例的耦合件的示例性立体图、俯视图及侧视图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110254978.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top