[发明专利]半导体制造系统、衬底位移组合件和处理半导体衬底方法在审
申请号: | 202110254978.0 | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN113113344A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 廖崇宪;谢锦升 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677;C23C16/458 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 系统 衬底 位移 组合 处理 方法 | ||
本发明实施例是有关于一种半导体制造系统、一种衬底位移组合件和一种处理半导体衬底方法。公开一种衬底位移组合件以在半导体处理期间提高衬底位移组合件的耐用性。在一个实施例中,一种半导体制造系统包括:衬底支撑件,其中衬底支撑件被配置成具有多个销;以及衬底位移组合件,用于通过所述多个销在与衬底支撑件的顶表面垂直的第一方向上对衬底支撑件上的衬底进行位移,其中衬底位移组合件包括一对装载叉、耦合件及驱动轴,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区,其中耦合件通过在第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到基座区,其中耦合件还通过在第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到驱动轴。
技术领域
本发明实施例是有关于一种半导体制造系统、对衬底支撑件上的衬底进行位移的衬底位移组合件和一种处理半导体衬底的方法。
背景技术
在半导体集成电路(integrated circuit,IC)行业中,不断要求器件尺寸越小且电路包装密度(circuit packing density)越高。此要求推动半导体行业开发新材料及复杂的工艺。举例来说,当将在晶片上形成特征(例如,晶体管的栅极/漏极/源极特征、水平内连线或垂直通孔等)时,晶片通常经过包括多个处理站的机构(mechanism),这些处理站通常使用不同的工艺工具来实行各种操作,例如(举例来说)清洁、光刻、介电质沉积、干式刻蚀/湿式刻蚀及金属沉积。然而,在处理站中用于提升及移动衬底的机构经常面临影响制造良率的频繁机械故障。因此,现有机构并不完全令人满意。
发明内容
本发明实施例提供一种半导体制造系统包括:衬底支撑件,其中所述衬底支撑件被配置成具有多个销;以及衬底位移组合件,用于通过所述多个销在与所述衬底支撑件的顶表面垂直的第一方向上对所述衬底支撑件上的衬底进行位移,其中所述衬底位移组合件包括一对装载叉、耦合件及驱动轴,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区,其中所述耦合件通过在所述第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到所述基座区,其中所述耦合件还通过在所述第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到所述驱动轴。
本发明实施例提供一种对衬底支撑件上的衬底进行位移的衬底位移组合件包括:一对装载叉,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区;耦合件,其中所述耦合件包括凸缘区及管道区,其中所述耦合件通过在第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到所述基座区;以及驱动轴,其中所述驱动轴通过在所述第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到所述耦合件。
本发明实施例提供一种处理半导体衬底的方法:组装衬底位移组合件;使用所述衬底位移组合件在第一方向上对衬底进行位移;以及对所述衬底实行半导体制造工艺,其中所述衬底位移组合件包括一对装载叉、耦合件及驱动轴,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区,其中所述耦合件包括凸缘区及管道区,其中所述耦合件通过在第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到所述基座区;且其中所述驱动轴通过在所述第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到所述耦合件。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明,能最好地理解本公开的各方面。应注意,各种特征未必按比例绘制。事实上,为说明的清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸及几何形状。
图1A说明根据本公开一些实施例的半导体处理系统的示例性方块图(blockdiagram)。
图1B说明根据本公开一些实施例的局部计算机(local computer)的示例性方块图,所述局部计算机可用于实施本文中所述的方法。
图2A说明根据本公开一些实施例的示例性半导体处理系统。
图2B到图2C说明根据本公开一些实施例的衬底位移组合件(或称总成(assembly))的示例性立体图及侧视图。
图3A到图3B说明根据本公开一些实施例的耦合件的示例性立体图、俯视图及侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造