[发明专利]半导体制造系统、衬底位移组合件和处理半导体衬底方法在审
申请号: | 202110254978.0 | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN113113344A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 廖崇宪;谢锦升 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677;C23C16/458 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 系统 衬底 位移 组合 处理 方法 | ||
1.一种半导体制造系统,包括:
衬底支撑件,其中所述衬底支撑件被配置成具有多个销;以及
衬底位移组合件,用于通过所述多个销在与所述衬底支撑件的顶表面垂直的第一方向上对所述衬底支撑件上的衬底进行位移,
其中所述衬底位移组合件包括一对装载叉、耦合件及驱动轴,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区,其中所述耦合件通过在所述第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到所述基座区,其中所述耦合件还通过在所述第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到所述驱动轴。
2.根据权利要求1所述的半导体制造系统,其中所述多个销中的每一者从所述衬底支撑件的所述顶表面向外延伸到所述衬底支撑件的后表面。
3.根据权利要求1所述的半导体制造系统,其中所述基座区的第一厚度大于所述叉区的第二厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体制造系统,其中所述基座区被配置成具有至少一个第一安装孔,其中所述至少一个第一安装孔中的每一者从所述基座区的顶表面延伸到所述基座区的后表面,其中所述耦合件包括凸缘区,其中所述凸缘区被配置成具有至少一个第二安装孔,其中所述至少一个第二安装孔中的每一者与所述至少一个第一安装孔中的每一者对准以接纳所述至少一个第一接合螺钉。
5.一种对衬底支撑件上的衬底进行位移的衬底位移组合件,包括:
一对装载叉,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区;
耦合件,其中所述耦合件包括凸缘区及管道区,其中所述耦合件通过在第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到所述基座区;以及
驱动轴,其中所述驱动轴通过在所述第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到所述耦合件。
6.根据权利要求5所述的衬底位移组合件,其中所述一对装载叉的所述叉区被配置成对准从所述衬底支撑件的顶表面向外延伸到所述衬底支撑件的后表面的多个销,以在所述第一方向上推动所述多个销中的每一者。
7.根据权利要求5所述的衬底位移组合件,其中所述管道区在第一端上耦合到所述凸缘区,其中所述管道区还在第二端上包括切口区,且其中所述管道区被配置成从所述第二端接纳所述驱动轴。
8.根据权利要求7所述的衬底位移组合件,其中所述耦合件的所述管道区的所述第二端上的所述切口区对准所述驱动轴上的键。
9.一种处理半导体衬底的方法,包括:
组装衬底位移组合件;
使用所述衬底位移组合件在第一方向上对衬底进行位移;以及
对所述衬底实行半导体制造工艺,
其中所述衬底位移组合件包括一对装载叉、耦合件及驱动轴,其中所述一对装载叉包括叉区及基座区,其中所述耦合件包括凸缘区及管道区,其中所述耦合件通过在所述第一方向上延伸的至少一个第一接合螺钉以机械方式耦合到所述基座区;且其中所述驱动轴通过在所述第一方向上延伸的第二接合螺钉以机械方式耦合到所述耦合件。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述一对装载叉的所述叉区被配置成对准从所述衬底支撑件的顶表面向外延伸到所述衬底支撑件的后表面的多个销,以在所述第一方向上推动所述多个销中的每一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造