[发明专利]一种颗粒硅区熔检测采样装置

说明书

本发明属于颗粒硅生产领域，具体公开了一种颗粒硅区熔检测采样装置，该装置包括区熔炉(1)和在区熔炉(1)内部从上到下依次设置的籽晶夹持器(2)、加热线圈(3)、颗粒硅容纳装置，颗粒硅容纳装置包括多组不同口径的容纳管(4)用于容纳不同尺寸的颗粒硅(41)，所述颗粒硅(41)的尺寸与对应容纳管(4)的口径匹配，所述容纳管(4)为高纯硅管，用于容纳颗粒硅(41)；所述容纳管(4)具有上端口，所述上端口位于所述加热线圈(3)下方，所述容纳管(4)的底端连接有氩气管道(6)，本发明将颗粒硅置于高纯硅管中，避免颗粒硅受其他设备等带来杂质的影响，同时设计多组不同口径的容纳管(4)实现不同尺寸颗粒硅的检测采样。

技术领域

本发明涉及颗粒硅生产领域，特别涉及一种颗粒硅区熔检测采样装置。

背景技术

随着世界能源危机的日益严重，绿色能源、能源多元化、可再生能源的利用成了我国可持续发展的战略选择，其中太阳能光伏发电成了当前电力科技者研发的热门课题之一。颗粒硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料，颗粒硅纯度越高，电子性能越好，相应光电转换率提高。

多晶硅是微电子行业和光伏行业的基础材料，传统生产高纯多晶硅的方法有西门子法和流化床法。当下主流的多晶硅的检测方法主要是在CVD还原生产的多晶硅棒上取样制成小棒状，再将小棒状料经过区熔炉二次晶体生长成单晶后，再取样检测纯度以及杂质含量，进而判定多晶硅的品质。流化床法生产颗粒状多晶硅通常是将高纯粒状硅做“种子”，在流化床反应器内形成流化状态，再引入高纯含硅气体在加热的流化种子上反应沉积，从而使得高纯硅种子越长越大，得到颗粒状的多晶硅。

流化床法得到的颗粒状多晶硅品质的好坏需要进行制样二次晶体生长成单晶再检测，因此首先将颗粒硅制作成小棒状，再二次晶体生长成单晶后进行相关品质检测。目前将颗粒硅制作成小棒状方法主要是利用石英试管或坩埚将颗粒硅熔化然后再结晶成小棒状。此过程存在二次污染情况，这就影响判断颗粒硅质量的准确性，且无法实现对不同尺寸颗粒硅的检测采样。

发明内容

本发明主要提供一种颗粒硅区熔检测采样装置，能够解决现有采样装置中颗粒硅容易受其他设备等带来杂质的影响，导致检测的颗粒硅数据不准确的问题，同时实现不同尺寸颗粒硅的检测采样。

为解决上述技术问题，本发明提供一种颗粒硅区熔检测采样装置，该装置包括区熔炉1和在区熔炉1内部从上到下依次设置的籽晶夹持器2、加热线圈3、颗粒硅容纳装置，所述颗粒硅容纳装置包括多组不同口径的容纳管4，用于容纳不同尺寸的颗粒硅41，所述容纳管4为高纯硅管，所述颗粒硅41的尺寸与对应容纳管4的口径匹配；

所述容纳管4具有上端口，所述上端口位于所述加热线圈3下方，所述容纳管4的底端连接有氩气管道6。

优选地，一种颗粒硅区熔检测采样装置，所述区熔炉1上设置有氩气管道6。

优选地，一种颗粒硅区熔检测采样装置，所述籽晶夹持器2固定在可移动上轴7上。

优选地，一种颗粒硅区熔检测采样装置，所述籽晶夹持器6上夹持有籽晶8。

优选地，一种颗粒硅区熔检测采样装置，所述区熔炉1为磷检炉，所述籽晶8为方形或圆柱体。

优选地，一种颗粒硅区熔检测采样装置，所述加热线圈3为高频感应线圈。

优选地，一种颗粒硅区熔检测采样装置，所述氩气管道6上设有控制阀9。

优选地，一种颗粒硅区熔检测采样装置，所述装置还包括控制柜10，所述控制柜10与所述控制阀9连接。

优选地，一种颗粒硅区熔检测采样装置，所述容纳管4设置在容纳管驱动装置5上，所述控制柜10与所述容纳管驱动装置5连接。

优选地，一种颗粒硅区熔检测采样装置，所述控制阀9为脉冲电磁阀。