[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备

权利要求书

1.一种NOR型存储器件，包括：

设置在衬底上的多个器件层，每个所述器件层包括第一源/漏层、第一沟道层和第二源/漏层的叠层；以及

相对于所述衬底竖直延伸以穿过各个所述器件层中的所述叠层的栅堆叠，所述栅堆叠包括栅导体层和设置在所述栅导体层与所述叠层之间的存储功能层，在所述栅堆叠与所述叠层相交之处限定存储单元，其中所述叠层围绕所述栅堆叠的外周。

2.根据权利要求1所述的NOR型存储器件，其中，所述多个器件层中至少一部分器件层的所述叠层还包括第二沟道层和第三源/漏层，在所述栅堆叠与所述叠层相交之处限定彼此叠置的两个存储单元。

3.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述存储功能层包括电荷捕获材料或铁电材料中至少之一。

4.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述叠层包括单晶半导体材料。

5.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述多个器件层中至少一部分相邻的器件层之间设置有隔离层。

6.根据权利要求5所述的NOR型存储器件，其中，所述隔离层上方的器件层中与所述隔离层相邻的源/漏层以及所述隔离层下方的器件层中与所述隔离层相邻的源/漏层分别电连接到不同的位线。

7.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述存储功能层形成在所述栅导体层的底面和侧壁上。

8.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，包括布置成阵列的多个所述栅堆叠。

9.根据权利要求2所述的NOR型存储器件，其中，所述第一源/漏层、所述第一沟道层、所述第二源/漏层、所述第二沟道层和所述第三源/漏层包括相同的半导体材料，其中相邻的层之间具有掺杂浓度界面。

10.根据权利要求2所述的NOR型存储器件，还包括：

彼此不同的第一位线和第二位线；

源极线；

到所述第一源/漏层的第一接触部；

到所述第二源/漏层的第二接触部；以及

到所述第三源/漏层的第三接触部，

其中，所述第一接触部和所述第三接触部分别电连接到所述第一位线和所述第二位线，所述第二接触部电连接到所述源极线。

11.根据权利要求10所述的NOR型存储器件，还包括：

到所述第一沟道层的第四接触部；以及

到所述第二沟道层的第五接触部。

12.根据权利要求11所述的NOR型存储器件，其中，所述第一接触部至所述第五接触部形成为彼此实质上平行延伸的条状。

13.根据权利要求11所述的NOR型存储器件，还包括：

所述第一沟道层中与所述第四接触部相接触之处比所述第一沟道层中其余的至少一部分的掺杂浓度高的高掺杂区；以及

所述第二沟道层中与所述第五接触部相接触之处比所述第二沟道层中其余的至少一部分的掺杂浓度高的高掺杂区。

14.根据权利要求10所述的NOR型存储器件，其中，所述第二接触部还与所述第一沟道层和所述第二沟道层电连接。

15.根据权利要求14所述的NOR型存储器件，其中，

所述第二源/漏层的端部与所述第二沟道层的端部实质上对齐，所述第一沟道层的端部相对突出；或者

所述第一沟道层的端部相对于所述第二源/漏层的端部突出，所述第二源/漏层的端部相对于所述第二沟道层的端部突出。