[发明专利]一种应力调节微米LED在审
申请号: | 202110251011.7 | 申请日: | 2021-03-08 |
公开(公告)号: | CN112909142A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 魏伟;苗中正;张洋 | 申请(专利权)人: | 盐城师范学院 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 224007 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应力 调节 微米 led | ||
1.一种应力调节微米LED,其特征在于:所述LED包括:
衬底;
正电极结构部件;
应力调节部件:应力调节部件为环状中孔部件或侧面带有缺口的环状中孔部件,应力调节部件位于衬底的上端,应力调节部件环绕正电极结构部件,应力调节部件的热膨胀系数与正电极结构部件中的半导体材料(P型半导体材料,有源区,N型半导体材料,缓冲层)的平均热膨胀系数不同,负电极结构部件和正电极结构部件与两者连接通道中的半导体材料(P型半导体材料,有源区,N型半导体材料,缓冲层)不能沉积在应力调节部件的顶端,应力调节部件对有源区发出的光为透明的,应力调节部件为绝缘材料;
负电极结构部件;
负电极结构部件与正电极结构部件连接通道。
2.根据权利要求1所述的应力调节微米LED,其特征在于:正电极结构部件面积小于等于10000µm2。
3.根据权利要求1所述的一种应力调节微米LED,其特征在于:LED衬底为导电衬底或不导电衬底;导电衬底为硅衬底或碳化硅衬底,不导电衬底为蓝宝石衬底或氧化镓衬底。
4.根据权利要求1所述的一种应力调节微米LED,其特征在于:正电极结构部件至少包括P型金属电极,P型半导体材料,有源区,N型半导体材料,缓冲层。
5.根据权利要求1所述的一种应力调节微米LED,其特征在于:当在100℃至1500℃范围内的温度时,应力调节部件的热膨胀系数与正电极结构部件中的半导体材料(P型半导体材料,有源区,N型半导体材料,缓冲层)的平均热膨胀系数不同,应力调节部件对有源区发出的光透过率大于等于70%。
6.根据权利要求1所述的一种应力调节微米LED,其特征在于:当衬底为导电衬底时,负电极结构部件、应力调节部件、正电极结构部件三者位于衬底的同一侧,或,负电极结构部件位于衬底的一侧、应力调节部件和正电极结构部件两者位于衬底的另一侧;当衬底为不导电衬底时,负电极结构部件、应力调节部件、正电极结构部件三者位于衬底的同一侧;当负电极结构部件、应力调节部件、正电极结构部件三者位于衬底的同一侧时,负电极结构部件位于应力调节部件和正电极结构部件以外的区域。
7.根据权利要求6所述的一种应力调节微米LED,其特征在于:当负电极结构部件、应力调节部件、正电极结构部件三者位于衬底的同一侧时,为传统结构应力调节微米LED芯片,负电极结构部件包括N型金属电极,N型半导体材料,缓冲层,此时应力调节部件为侧面带有缺口的环状中孔部件,负电极结构部件与正电极结构部件连接通道为侧面缺口中的N型半导体材料和缓冲层;当负电极结构部件位于衬底的一侧、应力调节部件和正电极结构部件两者位于衬底的另一侧时,此时应力调节部件为环状中孔部件,为垂直结构应力调节微米LED芯片,负电极结构部件为N型金属电极,负电极结构部件与正电极结构部件连接通道为导电衬底。
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