[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110249634.0 | 申请日: | 2021-03-08 |
公开(公告)号: | CN113053915A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 柯霖波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 赵伟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制备方法,包括:第一柔性层;第一阻隔层,设于所述第一柔性层上;以及第二柔性层,设于所述第一阻隔层上;其中,所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅,所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x:7y,且x=1‑4,y=1‑4。本申请在两层柔性层之间设置阻隔层,可以提高两层柔性层之间的粘附力,实现所述柔性基板阻水阻氧能力、粘附力、弯折性能、高温高湿性能和光学透过率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着现代显示技术的快速发展,显示技术领域正朝着更轻、更薄、更柔、更透明的方向发展。传统的玻璃基板由于自身硬和脆等特性,难以满足未来柔性显示技术的要求;而高分子薄膜基板具有质轻、柔性、综合性能优异等特点,可以很好地满足显示技术对柔性的要求。因此,柔性高分子基板材料是未来柔性显示技术的首选材料。
目前,聚酰亚胺(Polyimide,PI)为柔性基板最具发展前景的高分子材料。聚酰亚胺具有优异的耐热性、耐辐射性能、耐化学性、电绝缘性、机械性能等,但其自身的阻水阻氧能力较弱。通常柔性聚酰亚胺基板的阻水阻氧能力是采用多层聚酰亚胺/无机二氧化硅(Silicon Oxide,SiO2)交替堆叠的结构,但该结构粘附力明显不足,制备薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)后,容易发生弯折时膜层脱落或高温高湿时膜层分离等问题。
发明内容
本发明的目的在于,本发明提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有柔性基板阻水阻氧能力较弱,在弯折时膜层脱落或高温高湿时膜层分离的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种显示面板,包括:第一柔性层;第一阻隔层,设于所述第一柔性层上;以及第二柔性层,设于所述第一阻隔层上;其中,所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅,所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x:7y,且x=1-4,y=1-4。
进一步地,当x=3,y=1时,所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为9:7。
进一步地,所述氧化硅为二氧化硅;所述氮化硅为四氮化三硅。
进一步地,所述的显示面板还包括:第二阻隔层,设于所述第二柔性层上。
进一步地,所述第二阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅,所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x:7y,且x=1-4,y=1-4。
进一步地,所述第一柔性层的厚度为4000-12000nm;和/或所述第一阻隔层的厚度为100-600nm;和/或所述第二柔性层的厚度为4000-12000nm;和/或所述第二阻隔层的厚度为100-600nm。
进一步地,所述第一柔性层与所述第一阻隔层、所述第二柔性层、所述第二阻隔层的厚度之和为8200-25200nm。
为实现上述目的,本发明还提供一种显示面板的制备方法,包括如下步骤:形成一第一柔性层于一玻璃基板上;形成一第一阻隔层于所述第一柔性层上,其中所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅,所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x:7y,且x=1-4,y=1-4。
进一步地,在所述形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上的步骤之后还包括:形成一第二阻隔层于所述第二柔性层上。
进一步地,在所述形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上的步骤之后还包括:采用机械剥离技术和/或激光剥离技术对所述玻璃基板和所述第一柔性层进行剥离处理。
本发明的技术效果在于,提供一种显示面板及其制备方法,所述显示面板包括两层柔性层和两层阻隔层,且所述柔性层与所述阻隔层间隔设置,既可以提高两层柔性层之间的粘附力,还可以提高所述柔性层与其他膜层的粘附力,实现所述柔性基板阻水阻氧能力、粘附力、弯折性能、高温高湿性能和光学透过率。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的