[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110249634.0 | 申请日: | 2021-03-08 |
公开(公告)号: | CN113053915A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 柯霖波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 赵伟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
第一柔性层;
第一阻隔层,设于所述第一柔性层上;以及
第二柔性层,设于所述第一阻隔层上;
其中,所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅,所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x:7y,且x=1-4,y=1-4。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
当x=3,y=1时,所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为9:7。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述氧化硅为二氧化硅;
所述氮化硅为四氮化三硅。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第二阻隔层,设于所述第二柔性层上。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述第二阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅,所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x:7y,且x=1-4,y=1-4。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述第一柔性层的厚度为4000-12000nm;和/或
所述第一阻隔层的厚度为100-600nm;和/或
所述第二柔性层的厚度为4000-12000nm;和/或
所述第二阻隔层的厚度为100-600nm。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述第一柔性层与所述第一阻隔层、所述第二柔性层、所述第二阻隔层的厚度之和为8200-25200nm。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
形成一第一柔性层于一玻璃基板上;
形成一第一阻隔层于所述第一柔性层上,其中所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅,所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x:7y,且x=1-4,y=1-4;以及
形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上的步骤之后还包括:
形成一第二阻隔层于所述第二柔性层上。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上的步骤之后还包括:
采用机械剥离技术和/或激光剥离技术对所述玻璃基板和所述第一柔性层进行剥离处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的