[发明专利]一种等离子干法去胶用热盘装置在审
申请号: | 202110248094.4 | 申请日: | 2021-03-07 |
公开(公告)号: | CN113053787A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 曹生们 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027;H05B1/02;H05B3/06;H05B3/42;F25D3/00;F25D17/02 |
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地址: | 650500 云南省*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子 干法去胶用热盘 装置 | ||
本发明公开了一种等离子干法去胶用热盘装置,包括:热盘机构、冷却机构、控制机构以及支撑机构;热盘机构包括工艺腔体、封盖板、铝基板、T形固定块以及电加热棒;冷却机构包括冷却液盒、循环泵、冷却腔、进液管以及出液管;控制机构包括盒体、后盖板、控制器、支撑杆、温度传感器、喇叭以及触控显示屏。本发明的等离子干法去胶用热盘装置,其可以形成一个良好洁净的加温环境,加温快速,可有效减少加温等待时间,从而提高工作效率;电加热棒可以进行拆装,便于后期单独更换电加热棒,可以有效降低维护成本;铝基板能够从较高温度快速降至较低温度,以便于满足不同的工艺温度,智能化程度较高,可自动调整到设定的温度,使用比较方便。
技术领域
本发明涉及半导体材料生产技术领域,具体来说,涉及一种等离子干法去胶用热盘装置。
背景技术
半导体硅材料是最主要的元素半导体材料,包括硅多晶、硅单晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等,可直接或间接用于制备半导体器件。
半导体硅片在蚀刻后需要将其表面的光刻胶去除,现有技术中一般采用等离子干法去胶用热盘装置对半导体硅片进行加温,然后将半导体硅片表面的光刻胶去除,但是现有技术中的等离子干法去胶用热盘装置,其不能形成一个良好洁净的加温环境,加温较慢,使得加温等待时间较长,从而影响工作效率;其次,现有技术中的等离子干法去胶用热盘装置,其电加热棒不能进行拆装,后期不能单独更换电加热棒,需要整体更换热盘装置,使得维护成本较高;另外,现有技术中的等离子干法去胶用热盘装置,其铝基板难以从较高温度快速降至较低温度,不便于满足不同的工艺温度,智能化程度不高,不能自动调整到设定的温度,使用比较麻烦。
发明内容
本发明的技术任务是针对以上不足,提供一种等离子干法去胶用热盘装置,其可以形成一个良好洁净的加温环境,加温快速,可有效减少加温等待时间,从而提高工作效率;电加热棒可以进行拆装,便于后期单独更换电加热棒,可以有效降低维护成本;铝基板能够从较高温度快速降至较低温度,以便于满足不同的工艺温度,智能化程度较高,可自动调整到设定的温度,使用比较方便,来解决上述问题。
本发明的技术方案是这样实现的:
一种等离子干法去胶用热盘装置,包括:
热盘机构,所述热盘机构包括工艺腔体、封盖板、铝基板、T形固定块以及电加热棒,所述工艺腔体的上部为开口结构,且所述工艺腔体的一侧壁上开设有通槽,所述封盖板固定安装在所述工艺腔体的上部,所述铝基板通过陶瓷隔热垫块水平且固定地安装在所述工艺腔体的内底壁上部,所述铝基板的两侧面上均开设有T形配装槽,所述T形固定块通过螺栓固定安装在所述T形配装槽的槽口处,所述电加热棒通过所述T形固定块封装在所述T形配装槽的内部;
冷却机构,所述冷却机构包括冷却液盒、循环泵、冷却腔、进液管以及出液管,所述冷却液盒通过两个对称设置的连接座固定安装在所述工艺腔体的底部,且所述冷却液盒的内部填充有乙二醇型冷却液,所述循环泵固定安装在所述冷却液盒的内部,所述冷却腔设置在所述铝基板的内部,所述进液管以及所述出液管均固定安装在所述铝基板与所述冷却液盒之间,所述进液管的一端与所述冷却腔的一侧相连通,且所述进液管的另一端与所述循环泵的出水口相连通,所述出液管的一端与所述冷却腔的另一侧相连通,且所述出液管的另一端与所述冷却液盒的内部相连通;
控制机构,所述控制机构包括盒体、后盖板、控制器、支撑杆、温度传感器、喇叭以及触控显示屏,所述盒体的后部为开口结构,所述后盖板通过螺钉固定安装在所述盒体的后部,所述控制器固定安装在所述盒体的内部,且所述控制器的控制输出端通过控制线分别与所述电加热棒的电控端以及所述循环泵的电控端电性连接,所述支撑杆竖直且固定地安装在所述盒体的底部,所述温度传感器嵌装在所述工艺腔体的底壁上,且所述温度传感器的测温部与所述铝基板的底部相接触,所述温度传感器的信号输出端通过信号线与所述控制器的信号输入端电性连接,所述喇叭固定安装在所述盒体的外侧壁上,且所述喇叭的电控端通过控制线与所述控制器的控制输出端电性连接,所述触控显示屏嵌装在所述盒体的前部,且所述触控显示屏通过数据线与所述控制器双向电性连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造