[发明专利]一种晶圆切割胶带基材及其制备方法

说明书

本发明公开了一种晶圆切割胶带基材及其制备方法，所述基材按照质量份数计，包括：茂金属线性低密度聚乙烯10‑30份、醋酸乙烯含量在5wt%‑20wt%的乙烯‑醋酸乙烯共聚物或聚乙烯弹性体60‑80份、助剂5‑10份、抗氧化剂1‑3份。采用本发明的配方制得的基材，其与粘胶层粘合后，在后续解粘过程中不会出现残胶现象，同时，在制备过程中通过对基材的高能粒子的辐照，使得基材分子结构支化程度提高，避免薄膜在拉伸过程中出现的强度不均匀的现象，确保基材在切割使用过程中各个方向上拉伸均匀从而避免晶圆上的晶粒在切割过程中出现崩脱现象。

技术领域

本发明涉及切割胶带技术领域，具体涉及一种晶圆切割胶带基材及其制备方法。

背景技术

随着科技的发展，在半导体器件的制造领域，半导体器件和电子芯片逐步向的薄型化和小型化发展。常规的晶圆切割划片膜的基材薄膜生产工艺一般均采用了流延、压延法生产，其中配方主要采用了聚乙烯或聚丙烯类聚合物，虽然在生产过程中采用了电晕处理，但由于工艺以及原料的局限性，一直存在用这种方法制成的晶圆切割划片膜使用过程中膜表面与胶粘剂粘结不良以及由于薄膜本身的强度不均匀问题，造成从而使这种基材膜所制成的晶圆切割划片膜容易残胶，以及后续晶粒容易出现崩脱现象给拾取工序(pickup)造成困扰，如何解决上述技术问题，是本领域技术人员亟待解决的事情。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种晶圆切割胶带基材。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种晶圆切割胶带基材，所述基材按照质量份数计，包括：茂金属线性低密度聚乙烯10-30份、醋酸乙烯含量在5wt％-20wt％的乙烯-醋酸乙烯共聚物或聚乙烯弹性体60-80份、助剂5-10份、抗氧化剂1-3份。

作为一种具体的实施方式，所述助剂采用了三羟甲基丙烷三丙烯酸酯。

作为一种具体的实施方式，所述乙烯-醋酸乙烯共聚物或聚乙烯弹性体中醋酸乙烯的含量控制在10wt％-18wt％。

本发明的另一个目的是提供上述晶圆切割胶带基材的制备方法，其包括以下步骤：

1)按照质量份数称取所需原料，并将称取好的原料依次加入挤出机料斗内混合呈熔体，而后采用流延法将熔体由挤出模头流延挤出至冷却辊上冷却成型，之后依次经钢辊压花、电晕装置电晕后收卷呈卷状基材原膜；

2)将收卷后的卷状基材原膜进行辐照处理，高能粒子辐照剂量在30-80kGy，辐照结束后即可得到我们所需的基材。

优选地，步骤2)中的高能粒子辐照剂量控制在40-50kGy。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明的晶圆切割胶带基材，其原料采用了茂金属线性低密度聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物或聚乙烯弹性体、助剂及抗氧化剂，其制得的基材一方面与粘胶层的胶水极性相近，分子结构相近，能够很好的避免后续解粘过程中出现残胶现象；另一方面在制备过程中，通过对基材的高能粒子的辐照，使得基材分子结构支化程度提高，避免薄膜在拉伸过程中出现的强度不均匀的现象，确保基材在切割使用过程中各个方向上拉伸均匀从而避免晶圆上的晶粒在切割过程中出现崩脱现象。

具体实施方式

下面结合具体实施例来对本发明的技术方案作进一步的阐述。

实施例1

对在制备过程中辐照与否及不同辐照剂量对基材性能的比较

本例中提供一种晶圆切割胶带基材，该基材按照质量份数计，包括：茂金属线性低密度聚乙烯25份(埃克森化学茂金属线性低密度聚乙烯3518CB)、VA含量为18wt％的乙烯-醋酸乙烯共聚物65份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯8份、巴斯夫B216抗氧化剂2份。

本例中还提供上述晶圆切割胶带基材的制备方法，其包括以下步骤：