[发明专利]压敏粘合带

说明书

本发明涉及压敏粘合带。提供一种压敏粘合带，其在紫外线照射前对被粘物具有优异的压敏粘合强度，并且在紫外线照射后具有优异的剥离性。所述压敏粘合带包括：包含紫外线固化型压敏粘合剂和光聚合引发剂的压敏粘合剂层；包含光聚合引发剂并且不含紫外线固化性组分的中间层；和基材。当所述中间层包含所述光聚合引发剂时，在紫外线照射后可以表现出优异的剥离性。

本申请根据35 U.S.C.119节要求2020年3月6日提交的日本专利申请No.2020-038457的优先权，其内容通过引用而并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种压敏粘合带。

背景技术

半导体晶片用于各种用途，如个人计算机、智能手机和汽车。在半导体晶片的加工工序中，在加工时使用压敏粘合带以保护其表面。近年来，大规模集成电路(LSI)的微型化和高功能化正在发展，并且晶片的表面结构变得复杂。例如，晶片表面可以使用多种材料来形成。另外，由于焊料凸块等，晶片表面的三维结构也已经变得复杂。因此，由于晶片表面的材料和结构，会出现压敏粘合强度的差异，从而产生粘合剂残留。近年来，随着产品的小型化和薄型化，半导体晶片的薄型化得到了发展。在加工成薄形状的晶片中，当压敏粘合带的压敏粘合强度太高时，在剥离压敏粘合带时会在晶片本身中发生破裂。为了防止被粘物上的粘合剂残留和剥离时晶片的破裂，已经提出了使用紫外线固化型压敏粘合剂的压敏粘合带(日本专利申请特开No.Hei 6-49420和日本专利申请特开No.Sho 62-153376)。然而，即使当使用紫外线固化型压敏粘合剂时，也会出现问题，即不能表现出所期望的剥离性，从而导致粘合剂残留在被粘物上和晶片破裂。

发明内容

本发明已经使现有技术中的上述问题得到解决，并且旨在提供一种压敏粘合带，其在紫外线照射前对被粘物具有优异的压敏粘合强度，并且在紫外线照射后具有优异的剥离性。

根据本发明的至少一个实施方案，提供一种压敏粘合带，其包括：包含紫外线固化型压敏粘合剂和光聚合引发剂的压敏粘合剂层；包含光聚合引发剂并且不含紫外线固化性组分的中间层；和基材。

在本发明的至少一个实施方案中，在形成所述中间层的组合物中的所述光聚合引发剂的含量为0.1重量份～10重量份。

在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合剂层和所述中间层各自以等量包含光聚合引发剂。

在本发明的至少一个实施方案中，所述基材具有抗静电功能。

在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合剂层在紫外线照射后的硅压敏粘合强度与聚酰亚胺压敏粘合强度之间的比为1.0以下。

在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合剂层的厚度为1μm～10μm。

在本发明的至少一个实施方案中，所述基材的厚度为10μm～200μm。

在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合带用于半导体晶片加工工序。

在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合带用作背面磨削带。

在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合带通过粘合至具有凹凸的被粘物来使用。

附图说明

图1为根据本发明的至少一个实施方案的压敏粘合带的示意性截面图。

具体实施方式

A.压敏粘合带的概要