[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置(1)具有10μm≤t_si≤30μm的半导体层(40)、由Ag构成的30μm≤t_ag60μm的金属层(31)及由Ni构成的金属层(30)、和晶体管(10及20)；晶体管(10及20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极及栅极电极；半导体层(40)的长边长与短边长之比是1.73以下；源极电极的各电极的面积与周边长之比是0.127以下；源极电极及栅极电极的各面积的总和是2.61mm²以下；源极电极的短边长是0.3mm以下；在平面视中，源极电极的各电极的长度方向与半导体层的长边平行，并且被配置为条状，各自的长边长是0.85mm以上且1.375mm以下。

本申请是申请日为2019年1月17日、申请号为201980040517.4、发明名称为“半导体装置”的发明专利申请的分案。

技术领域

本发明涉及半导体装置，特别涉及能够进行倒装的芯片尺寸封装型的半导体装置。

背景技术

以往，提出了一种半导体装置，具备：具有第1主面及第2主面的半导体层、跨从该第1主面到该第2主面而设置的2个纵型场效应晶体管和形成于该第2主面上的金属层。在该结构中，作为从第1晶体管向第2晶体管流动的电流路径，不仅使用半导体基板内部的水平方向路径，还能够使用导通电阻低的金属层中的水平方向路径，所以能够降低半导体装置的导通电阻。

在专利文献1中，提出了除了上述结构以外、还在金属层的与半导体基板相反侧形成有导电层的倒装芯片安装型的半导体装置。通过该导电层，在将芯片单片化的工序中能够抑制金属层的毛刺的发生。

此外，在专利文献2中，提出了除了上述结构以外、还在金属层的与半导体基板相反侧形成有绝缘覆膜的倒装芯片安装型的半导体装置。通过该绝缘覆膜，能够维持半导体装置的薄型化，并且能够防止伤痕或缺陷等破损。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－86006号公报

专利文献2：日本特开2012－182238号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在专利文献1及专利文献2所公开的半导体装置中，金属层的线膨胀系数比半导体基板的线膨胀系数大，所以发生因温度变化带来的半导体装置的翘曲。例如，在将焊料作为接合材料而将半导体装置进行倒装芯片安装的情况下，在回流焊安装的高温时发生半导体装置的翘曲。如果半导体装置的翘曲大，则容易发生关于安装的不良状况。

在专利文献1中，在金属层的与半导体基板相反侧形成有导电层，但导电层的主材料是与金属层相同种类的金属，所以形成足够减轻因温度变化带来的半导体装置的翘曲的厚度的导电层在制造方面并不容易。

在专利文献2中，在金属层的与半导体基板相反侧形成有用来实现半导体装置的薄型化及破损的防止的绝缘覆膜，但在金属层的厚度是为了确保低导通电阻而需要的厚度的情况下，在绝缘覆膜中不发生足够减轻半导体装置的翘曲的应力。

此外，在专利文献1及2所公开的半导体装置中，在将焊料作为接合材料而进行倒装芯片安装的情况下，由于在回流焊安装的高温时半导体装置的自重作用于焊料，所以焊料溢出等而发生接合不良。该接合不良也与半导体装置的翘曲有关，但不是仅通过抑制半导体装置的翘曲就可消除的。

即，在专利文献1及2所公开的半导体装置中，难以在降低导通电阻的同时兼顾半导体装置的翘曲的抑制和因焊料的溢出等造成的接合不良的消除。

所以，本发明的目的是提供一种在降低导通电阻的同时兼顾半导体装置的翘曲的抑制和因焊料的溢出等造成的接合不良的消除的芯片尺寸封装型的半导体装置。

用来解决课题的手段