[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，是能够倒装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其中，具有：

半导体层，具有相互背对的第1主面及第2主面；

第1金属层，具有相互背对的第3主面及第4主面，上述第3主面与上述第2主面接触地形成，该第1金属层由银构成，厚度为30μm以上且比60μm薄；

第2金属层，具有相互背对的第5主面及第6主面，上述第5主面与上述第4主面接触地形成，该第2金属层由镍构成；

第1纵型MOS晶体管，形成于上述半导体层内的第1区域；以及

第2纵型MOS晶体管，形成于上述半导体层内的第2区域，该第2区域与上述第1区域在沿着上述第1主面的方向上相邻；

上述半导体层具有：

半导体基板，配置在上述第1主面及上述第2主面中的上述第2主面侧，由包含第1导电型的杂质的硅构成；以及

低浓度杂质层，配置在上述第1主面及上述第2主面中的上述第1主面侧，与上述半导体基板接触地形成，包含浓度比上述半导体基板的上述第1导电型的杂质的浓度低的上述第1导电型的杂质；

上述第1纵型MOS晶体管在上述低浓度杂质层的表面具有第1源极电极及第1栅极电极；

上述第2纵型MOS晶体管在上述低浓度杂质层的表面具有第2源极电极及第2栅极电极；

在将上述半导体层俯视的情况下，上述第1源极电极及上述第1栅极电极和上述第2源极电极及上述第2栅极电极形成于相对于将上述半导体层的长边一分为二的边界线成为线对称的位置；

上述半导体基板作为上述第1纵型MOS晶体管的第1漏极区域及上述第2纵型MOS晶体管的第2漏极区域的共用漏极区域发挥功能；

将从上述第1源极电极经由上述第1漏极区域、上述第1金属层及上述第2漏极区域到上述第2源极电极的双向路径作为主电流路径；

上述半导体层的长边长与短边长之比是1.73以下；

上述第1源极电极及上述第2源极电极的各电极的面积与周长之比是0.127以下；

上述第1源极电极、上述第1栅极电极、上述第2源极电极及上述第2栅极电极的各面积的总和是2.61mm²以下；

上述第1源极电极及上述第2源极电极的各短边长是0.3mm以下；

上述第1源极电极及上述第2源极电极分别由多个电极构成；

在上述俯视中，构成上述第1源极电极及上述第2源极电极的上述多个电极的长度方向与上述半导体层的长边平行，构成上述第1源极电极的上述多个电极被配置为条状，构成上述第2源极电极的上述多个电极被配置为条状；

构成上述第1源极电极及上述第2源极电极的上述多个电极各自的长边长是0.85mm以上且1.375mm以下。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1栅极电极及上述第2栅极电极各自的最大宽度是0.25mm以下；

在上述俯视中，在比上述第1源极电极靠上述半导体层的短边侧，上述第1栅极电极与上述第1源极电极隔开距离而形成，在比上述第2源极电极靠上述半导体层的短边侧，上述第2栅极电极与上述第2源极电极隔开距离而形成。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1源极电极及上述第2源极电极分别由多个电极构成；

构成上述第1源极电极的多个电极及构成上述第2源极电极的多个电极的至少一方中的形成于上述边界线侧的电极的面积，比形成于上述半导体层的短边侧的电极的面积大。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

构成上述第1源极电极的多个电极及构成上述第2源极电极的多个电极的至少一方的各个电极随着从上述边界线侧朝向上述短边侧而变小。