[发明专利]一种用于制备高密度ITO靶材的离心喷雾造粒工艺

权利要求书

1.一种用于制备高密度ITO靶材的离心喷雾造粒工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1、按照In₂O₃/SnO₂质量比为9：1的比例，称取纯度大于99.99%的In₂O₃纳米粉末和SnO₂纳米粉末，加入去离子水和分散剂，搅拌均匀，得到浆料；

S2、将步骤S1中的所述浆料通过砂磨机球磨10-30min，然后加入粘结剂和消泡剂，混合均匀后，得到待造粒浆液；

S3、通过风机（13）抽取外界空气，以使空气依次经过滤器（12）、加热器（11）和集气管（19）后通过造粒用的罐体（1）内的布气管（9）排入罐体（1），直至所述罐体（1）内布满温度为130-240℃的热气；将步骤S2中的所述待造粒浆液通过进料管（7）输送，以使所述待造粒浆液通过雾化器（8）雾化后喷入所述罐体（1），雾化后的所述待造粒浆液在所述罐体（1）内与热气接触后，形成造粒粉，并从所述罐体（1）上的出料口（4）离心排出，从而得到所需造粒粉；所述雾化器（8）安装在所述罐体（1）顶部中心，所述进料管（7）与所述雾化器（8）连接，以使所述待造粒浆液雾化后从所述罐体（1）顶部中心向下喷出；所述布气管（9）为竖直设置且与所述罐体（1）侧壁靠近，所述布气管（9）至少设置有两个，两个所述布气管（9）分别位于所述罐体（1）内部的相对两侧；所述待造粒浆液雾化后喷入所述罐体（1）过程中，开启所述罐体（1）底部的电机（5），以使电机（5）带动所述罐体（1）内底部的托盘（16）转动，所述托盘（16）转动过程中，所述布气管（9）在所述罐体（1）内上下移动。

2.根据权利要求1所述的一种用于制备高密度ITO靶材的离心喷雾造粒工艺，其特征在于：所述托盘（16）上开设有用于热气通过的气孔（17），所述罐体（1）内的热气通过出气口（14）向外排出，所述出气口（14）位于所述托盘（16）下方且设置在所述罐体（1）侧壁上。

3.根据权利要求2所述的一种用于制备高密度ITO靶材的离心喷雾造粒工艺，其特征在于：所述罐体（1）为圆筒状，所述托盘（16）的俯视投影为圆形且直径与所述罐体（1）内径相同，所述托盘（16）顶面的水平高度由中心向四周逐渐减小，所述出料口（4）位于所述托盘（16）边缘一侧。

4.根据权利要求3所述的一种用于制备高密度ITO靶材的离心喷雾造粒工艺，其特征在于：所述托盘（16）顶面固定有沿所述托盘（16）径向方向设置的隔板（18），所述隔板（18）设置有多个，多个所述隔板（18）均布在所述托盘（16）上。

5.根据权利要求4所述的一种用于制备高密度ITO靶材的离心喷雾造粒工艺，其特征在于：所述隔板（18）上固定有端面凸轮（20），所述端面凸轮（20）中心轴与所述罐体（1）、托盘（16）中心轴重合，所述布气管（9）底部安装有滚轮（93），所述滚轮（93）与所述端面凸轮（20）顶部的轮廓曲线面接触，所述布气管（9）与所述罐体（1）上下滑动配合。

6.根据权利要求5所述的一种用于制备高密度ITO靶材的离心喷雾造粒工艺，其特征在于：所述布气管（9）包括管体（91）和固定块（94）；

所述管体（91）上下两端均为封闭端，所述管体（91）包括圆弧侧板（911）和与所述圆弧侧板（911）固定的平面侧板（912），所述平面侧板（912）位于所述圆弧侧板（911）靠近所述罐体（1）内壁一侧，所述圆弧侧板（911）上开设有用于热气排出的通孔（92），所述平面侧板（912）上开设有开口（97），所述集气管（19）与所述布气管（9）通过进气管（10）连接，所述进气管（10）穿过所述罐体（1）侧壁后通过所述开口（97）伸入所述管体（91）内；

所述固定块（94）固定在所述平面侧板（912）的上下两端，所述固定块（94）上固定有第一滑块（99），所述罐体（1）内壁开设有沿所述管体（91）长度方向设置的第一滑槽（15），所述第一滑块（99）嵌在所述第一滑槽（15）内且与所述第一滑槽（15）滑动配合。