[发明专利]单片晶圆清洗方法

说明书

本申请涉及一种单片晶圆清洗方法，晶圆朝上由清洗液喷管喷出清洗液进行清洗，再由清水喷管喷出清水，以去除晶圆上的清洗剂残留，使用清洗液喷管和清水喷管时，通过旋转清洗液喷管和清水喷管使之对应到达晶圆上方，无须使用则将清洗液喷管和清水喷管移走以防止干扰，清洗液喷管为并列的若干根可喷出不同类型的清洗液，实现一机多用。同时，加热后的氮气从转轴中间的通道经过空腔从通孔喷出，在加热晶圆的同时，在晶圆底部形成气流防止清洗液流入晶圆底面。再利用晶圆的转动和清洗液喷管的摆动来完成对整个晶圆的清洗，提好了清洗效果。

技术领域

本申请属于晶圆清洗设备技术领域，尤其是涉及一种单片晶圆清洗方法。

背景技术

在现有的半导体工艺中，对半导体衬底进行高剂量离子注入时，需要先在半导体衬底表面形成具有一定图案的光刻胶层，然后依据图形化光刻胶层对半导体衬底进行离子注入，以在晶圆上形成有浅沟槽隔离结构。离子注入完成后，需要采用湿法清洗处理对晶圆进行清洗以去除光刻胶及晶圆表面的颗粒缺陷。

如中国专利文献CN108649008A公开了用于离子注入后晶圆清洗的单片式清洗装置及方法，其设置有两个相互衔接的处理单元，其中第一处理单元，采用顶部加热、底部喷洒清洗液的方式，第二处理单元在顶部喷洒另一清洗液，通过两个处理腔室的配合完成对一块晶圆的清洗。

然而，正是由于采用两个处理腔室，两个处理腔室之间需要增加运输环节和翻转环节，导致整个设备运行效率低。此外，在第一处理腔室时，采用清洗面朝下，导致清洗液喷射范围受中间清洗液喷嘴影响。在第二处理腔室时，采用清洗面朝上，在清洗时，清洗液会流淌到晶圆底面，从而导致底面产生清洁剂残留。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：为解决现有技术中的不足，从而提供一种清洗操作步骤简单、不易在背面产生清洁剂残留的单片晶圆清洗方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种单片晶圆清洗方法，包括以下步骤：

S1：将晶圆以清洗面朝上的方式置于支撑盘上，使支撑盘带动晶圆进行旋转，将加热后的氮气从转轴中间的通道通入支撑盘的空腔并从支撑盘顶部上的通孔喷出，以加热晶圆；

S2：将若干并列的清洗液喷管摆动到对准晶圆的圆心处上方，通过清洗液喷管将清洗液喷射到晶圆上，并且使清洗液喷管在对准晶圆的圆心处上方到对准晶圆的边缘处上方之间摆动，使清洗液达到晶圆的整个表面；

S3：清洗一段时间后，使清洗液喷管停止喷出清洗液，并关闭氮气的通入，将清洗液喷管摆动到远离晶圆的位置，清水喷管摆动到对准晶圆的圆心处上方，通过清水喷管将清水喷射到晶圆上，并且使清水喷管在对准晶圆的圆心处上方到对准晶圆的边缘处上方之间摆动，使清水达到晶圆的整个表面；

S4：清洗一段时间后，关闭清水喷管，完成清洗。

优选地，本发明的单片晶圆清洗方法，当清洗液喷管使用多根时，当清洗液喷管喷出清洗液的时间达到预设的清洗时间后，使清洗液喷管停止喷出清洗液，使另一清洗液喷管喷出清洗液，并将该清洗液喷管在对准晶圆的圆心处上方到对准晶圆的边缘处上方之间摆动，使清洗液达到晶圆的整个表面，所有的清洗液喷管均重复进行清洗和摆动。

优选地，本发明的单片晶圆清洗方法，S4步骤后在清洗完毕后需要干燥，则可以再次通入加热后的氮气以进行干燥。

优选地，本发明的单片晶圆清洗方法，所述清洗液喷管为三根，每根清洗液喷管喷出SPM清洗液、SC-1清洗液或者SC-2清洗液或者DHF其中之一。

优选地，本发明的单片晶圆清洗方法，在每根清洗液喷管喷完一种清洗液时，由清水喷管喷出一次清水以洗净该次清洗液的残留。

优选地，本发明的单片晶圆清洗方法，