[发明专利]单片晶圆清洗方法

权利要求书

1.一种单片晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将晶圆以清洗面朝上的方式置于支撑盘(2)上，使支撑盘(2)带动晶圆进行旋转，将加热后的氮气从转轴(25)中间的通道通入支撑盘(2)的空腔(24)并从支撑盘(2)顶部上的通孔(22)喷出，以加热晶圆；

S2：将若干并列的清洗液喷管(3)摆动到对准晶圆的圆心处上方，通过清洗液喷管(3)将清洗液喷射到晶圆上，并且使清洗液喷管(3)在对准晶圆的圆心处上方到对准晶圆的边缘处上方之间摆动，使清洗液达到晶圆的整个表面；

S3：清洗一段时间后，使清洗液喷管(3)停止喷出清洗液，并关闭氮气的通入，将清洗液喷管(3)摆动到远离晶圆的位置，清水喷管(4)摆动到对准晶圆的圆心处上方，通过清水喷管(4)将清水喷射到晶圆上，并且使清水喷管(4)在对准晶圆的圆心处上方到对准晶圆的边缘处上方之间摆动，使清水达到晶圆的整个表面；

S4：清洗一段时间后，关闭清水喷管(4)，完成清洗。

2.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，当清洗液喷管(3)使用多根时，当清洗液喷管(3)喷出清洗液的时间达到预设的清洗时间后，使清洗液喷管(3)停止喷出清洗液，使另一清洗液喷管(3)喷出清洗液，并将该清洗液喷管(3)在对准晶圆的圆心处上方到对准晶圆的边缘处上方之间摆动，使清洗液达到晶圆的整个表面，所有的清洗液喷管(3)均重复进行清洗和摆动。

3.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，S4步骤后在清洗完毕后需要干燥，则可以再次通入加热后的氮气以进行干燥。

4.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗液喷管(3)为三根，每根清洗液喷管(3)喷出SPM清洗液、SC-1清洗液或者SC-2清洗液或者DHF其中之一。

5.根据权利要求4所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，在每根清洗液喷管(3)喷完一种清洗液时，由清水喷管(4)喷出一次清水以洗净该次清洗液的残留。

6.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，

还提供一紧急清水喷管(5)，所述紧急清水喷管(5)为常开状态，一直有清水流出，在普通状态时清水从所述紧急清水喷管(5)流出后，由紧急清水承接盘(51)承接并排出紧急清水，当发生紧急状态时，紧急清水喷管(5)能够快速喷出清水，直接对晶圆(9)进行清洗。

7.根据权利要求1或2所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，通孔(22)分布于支撑盘(2)上，所述支撑盘(2)的外缘设置有圆周状排列的通孔(22)。

8.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，加热后的氮气的温度为200℃-250℃。

9.根据权利要求8所述的单片晶圆清洗装置清洗盘结构，其特征在于，所述支撑盘(2)的空腔(24)内还设置若干加热器，以加热氮气，所述支撑盘(2)上还设置有温度传感器，温度传感器通过感应温度并控制加热器的运行功率以保持氮气温度。