[发明专利]清洗装置

说明书

公开了一种清洗装置，包括：旋转部，用于放置待清洗的晶圆，并带动所述晶圆旋转；第一清洗部，用于对晶圆的表面进行清洗，所述第一清洗部包括：第一喷杆，设置在所述晶圆的至少一侧，向所述晶圆的表面喷射清洗液；第一清洗刷，设置在所述晶圆的与所述第一喷杆相同的一侧，通过与所述晶圆的摩擦接触对所述晶圆的表面进行清洗；第二喷杆，设置在所述第一清洗刷的一侧，向所述第一清洗刷喷射清洗液，对所述第一清洗刷的表面进行清洗。本申请的清洗装置，采用第二喷杆清洁第一清洗刷，降低了第一清洗刷清洗晶圆表面过程中的回粘率，提高了晶圆的清洗效果，提高了晶圆的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种清洗装置。

背景技术

半导体元件是有微细的电路线高度密集地制造而成，因此，晶圆表面需要进行精密研磨，为了对晶圆进行更加精细地研磨，可采用机械研磨以及化学研磨并行的化学机械研磨(CMP)工艺。

相关技术中化学机械研磨工艺通过以晶圆的工艺面与研磨垫相面对的状态对晶圆进行加压并同时对工艺面进行研磨，研磨工艺技术后的晶圆表面具有异物颗粒等需要进行清洗。参考图1和图2，相关技术中，通过第二清洗部对晶圆的边缘部分进行清洗，通过第一清洗部对晶圆的第一表面和第二表面进行清洗，但由于第一清洗部可能会附着有异物颗粒，因此可能发生回粘现象，导致晶圆清洗不干净。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种清洗装置，所述清洗装置的第一清洗部不仅能够清洗晶圆的第一表面和第二表面，而且能够降低第一清洗部的回粘问题，使得晶圆清洗更加干净，提高晶圆的良率。

根据本发明的一方面，提供一种清洗装置，包括：旋转部，用于放置待清洗的晶圆，并带动所述晶圆旋转；第一清洗部，用于对晶圆的表面进行清洗，所述第一清洗部包括：第一喷杆，设置在所述晶圆的至少一侧，向所述晶圆的表面喷射清洗液；第一清洗刷，设置在所述晶圆的与所述第一喷杆相同的一侧，通过与所述晶圆的摩擦接触对所述晶圆的表面进行清洗；第二喷杆，设置在所述第一清洗刷的一侧，向所述第一清洗刷喷射清洗液，对所述第一清洗刷的表面进行清洗。

可选地，所述第一喷杆包括至少两个，分别朝向所述晶圆的第一表面和第二表面。

可选地，所述第一清洗刷包括至少两个，分别与所述晶圆的第一表面和第二表面接触。

可选地，所述第二喷杆包括至少两个，每个所述第二喷杆朝向一个所述第一清洗刷，以向所述第一清洗刷喷射清洗液。

可选地，两个所述第一清洗刷在所述晶圆的厚度方向上间隔开以限定出清洗空间，所述清洗空间在所述晶圆的厚度方向上的宽度不小于所述晶圆的厚度。

可选地，所述第一喷杆和所述第二喷杆分别包括多个喷嘴，用于向所述晶圆的表面和所述第一清洗刷喷射清洗液。

可选地，所述第二喷杆在所述第一清洗刷清洗所述晶圆时对所述第一清洗刷进行清洗。

可选地，所述第一清洗刷在所述第一喷杆向所述晶圆的表面喷射清洗液时对所述晶圆的表面进行清洗。

可选地，所述第一喷杆沿所述晶圆的表面方向水平延伸，以使所述第一喷杆的多个喷嘴向所述晶圆的上部表面喷射清洗液。

可选地，所述第一清洗刷位于所述第一喷杆的下方，所述第二喷杆位于所述第一喷杆与所述第一清洗刷之间，所述第一清洗刷和所述第二喷杆沿所述晶圆的表面方向水平延伸。

本发明提供的清洗装置，通过第二清洗部对晶圆的边缘部分进行清洗，通过第一清洗部对晶圆的第一表面和第二表面进行清洗，其中，第一清洗部还包括第三喷杆，能够降低第二清洗刷表面附着的异物颗粒，降低异物颗粒的回粘现象，使得晶圆清洗更加干净，避免在后道工艺中引起的晶圆缺陷，进而提高晶圆的良率。

附图说明