[发明专利]一种半导体晶圆清洗装置及其工作方法在审
申请号: | 202110240467.3 | 申请日: | 2021-03-04 |
公开(公告)号: | CN112864059A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 罗云红;黄晓波 | 申请(专利权)人: | 泸州龙芯微科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人: | 周卫 |
地址: | 646000 四川省泸州市自贸区川南临港*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 清洗 装置 及其 工作 方法 | ||
本发明属于半导体晶圆清洗技术领域,具体涉及一种半导体晶圆清洗装置及其工作方法,该半导体晶圆清洗装置包括装置外壳和晶圆主体,所述装置外壳的内部转动连接有第一转动杆,所述装置外壳的底端内壁处开设有第一空腔,所述第一转动杆与装置外壳的内壁贯穿连接,所述第一转动杆的底端位于第一空腔的内部。通过第一电机主体的驱动,带动放置盒的转动,方便从多方面对晶圆主体进行多角度清洗。通过第三电机主体带动驱动滑轮转动方便带动晶圆主体转动,使晶圆主体的清洗更加彻底。通过第二电机主体的驱动,带动螺纹轴转动,方便对活动块的高度进行调节,在波纹管的作用下,方便喷头主体进行摆动,使晶圆主体清洗的更加彻底。
技术领域
本发明属于半导体晶圆清洗技术领域,涉及一种半导体晶圆清洗装置及其工作方法。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。
晶圆清洗工艺对电子工业,尤其是半导体工业极其重要,在半导体器件和集成电路的制造过程中,几乎每道工序都涉及到清洗,晶圆清洗主要是去除吸附在晶圆表面的各种杂质离子,如微粒、有机物、无机金属离子等,使晶圆的表面洁净度达到一定的工艺要求,随着半导体晶圆工艺的发展,为了满足晶圆电学特性的需求,对清洗后的晶圆洁净度的要求也越来越高。
现有的清洗装置并不能对晶圆进行多角度的清洗,清洗效果不佳,同时每次只能放置一个半导体晶圆,无法满足对大批量半导体晶圆的清洗,效率低下,且缺少对半导体晶圆的放置装置,半导体晶圆在清洗时会发生滑动,对半导体晶圆造成损坏,造成一定的经济损失,导致清洗效率降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体晶圆清洗装置及其工作方法,具有方便对晶圆进行多角度清洗,方便多个晶圆同时清洗,方便晶圆的放置,提高清洗效率的特点。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种半导体晶圆清洗装置,包括装置外壳和晶圆主体,所述装置外壳的内部转动连接有第一转动杆,所述装置外壳的底端内壁处开设有第一空腔,所述第一转动杆与装置外壳的内壁贯穿连接,且连接处设有轴承,所述第一转动杆的底端位于第一空腔的内部,所述第一转动杆的顶端固定连接有放置板,所述放置板的上表面固定连接有放置盒,所述装置外壳的两侧内壁内对称开设有第二空腔,所述装置外壳的两侧内壁内均对称开设有两个第四空腔,所述第四空腔关于第二空腔对称,所述装置外壳的顶端固定连接有水箱,且水箱的顶端开设有入水口,所述水箱的两侧均连接有输水管,所述输水管的另一端通入第二空腔的内部;
所述输水管的另一端连接有波纹管,所述波纹管的底端套接有活动块,所述输水管的底端套接有限位板,所述限位板位于波纹管的上方,所述装置外壳的底端内壁内对称开设有第三空腔,所述第三空腔位于第二空腔的下方,所述第二空腔的内部转动连接有螺纹轴,所述螺纹轴的底端与装置外壳的内壁贯穿连接,且连接处设有轴承,所述螺纹轴的底端位于第三空腔的内部,所述螺纹轴的顶端与活动块螺纹旋合连接,所述活动块上通过转轴转动连接有喷头主体,所述喷头主体的两侧对称固定连接有第一滑动块,所述装置外壳的侧壁上开设有滑槽,所述第一滑动块在滑槽的内部滑动,所述活动块的内部包裹有输水管,且输水管的顶端与波纹管相通,所述喷头主体与输水管相连。
作为本发明的一种半导体晶圆清洗装置优选技术方案,所述第一转动杆的底端固定连接有皮带轮,所述第一空腔的内部连接有第一电机支架,所述第一空腔通过第一电机支架安装有第一电机主体,所述第一电机主体的输出轴上固定连接有另一个皮带轮,两个所述皮带轮之间套接有传动皮带。
作为本发明的一种半导体晶圆清洗装置优选技术方案,所述第四空腔的内部固定连接有滑杆,所述活动块的底端两侧对称连接有第二滑动块,所述第二滑动块套接在对应边的滑杆上。
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