[发明专利]一种氧化磷酸化通路缺陷的DBA细胞模型及其构建方法有效
申请号: | 202110238919.4 | 申请日: | 2021-03-04 |
公开(公告)号: | CN112980790B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 方向东;张昭军;肖茹丹;张立娟;阮修艳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院北京基因组研究所(国家生物信息中心) |
主分类号: | C12N5/0789 | 分类号: | C12N5/0789;C12N5/078;C12Q1/02 |
代理公司: | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人: | 尉月丽 |
地址: | 100101 北京市朝阳区北辰西*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 磷酸化 通路 缺陷 dba 细胞 模型 及其 构建 方法 | ||
1.一种氧化磷酸化通路缺陷的DBA细胞模型的构建方法,其特征在于,包括在HPCs的红系诱导分化体系中用氧化磷酸化通路抑制剂抑制线粒体氧化磷酸化通路的步骤,所述氧化磷酸化通路抑制剂为鱼藤酮,所述模型为具有氧化磷酸化通路缺陷的DBA细胞模型。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)对HPCs进行扩增培养;
(2)对步骤(1)所得细胞向红系方向进行定向诱导分化,在分化体系中加入氧化磷酸化通路抑制剂,连续培养,即获得所述DBA氧化磷酸化模型。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述HPCs的来源选自人脐血、骨髓、外周血中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述扩增培养具体为:在增殖培养基中进行,所述的增殖培养基为含有SCF、Flt3 Ligand、TPO和双抗的SFEMII培养基,细胞密度为5×104-1×105个/mL,接种于孔板中,置于细胞培养箱培养,3-4天更换次培养基,增殖3-7天;
步骤(2)中,所述定向诱导分化具体为:在分化培养基中进行,所述的分化培养基为含有SCF、IL3、EPO和双抗的SFEMII培养基,细胞密度为5×104-1×105个/mL,接种于孔板中,置于细胞培养箱培养,其中3-4天更换次培养基;分化3-7天。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(1)中增殖7天,步骤(2)中增殖7天。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述氧化磷酸化通路抑制剂用量为0.5-2μmol/L;给药时间3-7天。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述氧化磷酸化通路抑制剂用量为1μmol/L;给药时间7天。
8.根据权利要求1-7任一项所述方法制备得到的氧化磷酸化通路缺陷的DBA细胞模型。
9.一种红系再生障碍模型的构建方法,包括在HPCs的红系诱导分化体系中用鱼藤酮抑制线粒体氧化磷酸化通路的步骤。
10.权利要求8所述的氧化磷酸化通路缺陷的DBA细胞模型在DBA机制研究和/或治疗药物的功效评价中的应用。
11.鱼藤酮在构建红系再生障碍模型和/或氧化磷酸化通路缺陷的DBA细胞模型中的应用,其特征在于,所述应用是通过将鱼藤酮加入HPCs的红系诱导分化体系中抑制线粒体氧化磷酸化通路实现的。
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