[发明专利]一种DDR SDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片有效
申请号: | 202110237448.5 | 申请日: | 2021-03-04 |
公开(公告)号: | CN112597729B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 姜攀 | 申请(专利权)人: | 新华三半导体技术有限公司 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367;G06F30/373 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自由*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ddr sdram 通道 优化 方法 装置 存储 芯片 | ||
1.一种DDR SDRAM通道的优化方法,其特征在于,包括:
获取DDR SDRAM设计文件;
获得用于描述所述设计文件中的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型,所述无源通道描述模型包括受害线通道描述模型、远端串扰通道描述模型和近端串扰通道描述模型;
根据所述无源通道描述模型,计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM,包括:对所述受害线通道描述模型所表征的受害线通道进行通道滤波处理;根据所述DDR SDRM设计文件,判断所述受害线通道是否需要均衡处理;若需要均衡处理,则利用均衡器对通道滤波后的受害线通道执行所需的均衡处理;对均衡处理后的受害线通道进行频域到时域的转换,并确定转换后的受害线通道在最优品质因数FOM时的受害线通道信号的信号幅值;针对所述远端串扰通道描述模型和所述近端串扰通道描述模型,对所述远端串扰通道描述模型所表征的远端串扰通道和所述近端串扰通道描述模型所表征的近端串扰通道分别进行通道滤波处理;若根据所述DDR SDRM设计文件,确定所述远端串扰通道需要均衡处理,则对通道滤波后的远端串扰通道进行均衡处理;并对均衡处理后的远端串扰通道进行频域到时域的转换,并对转换后的远端串扰通道加入干扰噪声,并确定加入干扰噪声后的远端串扰通道的通道噪声;若根据所述DDR SDRM设计文件,确定所述近端串扰通道需要均衡处理,则对通道滤波后的近端串扰通道进行均衡处理;并对均衡处理后的近端串扰通道进行频域到时域的转换,并对转换后的近端串扰通道加入干扰噪声,并确定加入干扰噪声后的近端串扰通道的通道噪声;根据所述远端串扰通道的通道噪声和所述近端串扰通道的通道噪声,确定所述DDR SDRAM通道中噪声信号的噪声信号幅值;根据所述受害线通道信号的信号幅值和所述噪声信号幅值,计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM;
若基于所述通道裕量COM确定当前的DDR SDRAM通道不满足电性能优化输出条件,则对所述设计文件中的DDR SDRAM通道进行优化处理;并继续执行获取用于描述所述设计文件中的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型的步骤,直至优化后的DDR SDRAM通道满足电性能优化输出条件为止。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,若判断所述受害线通道不需要均衡处理,则根据所述无源通道描述模型,计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM,包括:
对通道滤波后的受害线通道进行频域到时域的转换;并确定转换后的受害线通道的受害线通道信号的信号幅值;
根据转换后的受害线通道的受害线通道信号的信号幅值和所述噪声信号幅值,计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,若所述远端串扰通道不需要均衡处理,则对通道滤波后的远端串扰通道进行频域到时域的转换;并对转换后的远端串扰通道加入干扰噪声,并确定加入干扰噪声后的远端串扰通道的通道噪声;
若所述近端串扰通道不需要均衡处理,则对通道滤波后的近端串扰通道进行频域到时域的转换;并对转换后的近端串扰通道加入干扰噪声,并确定加入干扰噪声后的近端串扰通道的通道噪声。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对通道滤波处理后的远端串扰通道进行均衡处理,包括:
获取均衡处理后的受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的均衡参数;
利用所述均衡参数配置所述远端串扰通道所需的均衡器,并利用配置好的均衡器对通道滤波处理后的所述远端串扰通道进行均衡处理。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对通道滤波处理后的近端串扰通道进行均衡处理,包括:
获取均衡处理后的受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的均衡参数;
利用所述均衡参数配置所述近端串扰通道所需的均衡器,并利用配置好的均衡器对通道滤波处理后的所述近端串扰通道进行均衡处理。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
对满足电性能优化输出条件的DDR SDRAM通道进行时域眼图仿真处理;
若时域眼图仿真结果成功,则确认满足电性能优化输出条件的DDR SDRAM通道满足需求。
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