[发明专利]三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底上具有堆叠体，所述堆叠体包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的多层牺牲层和多层隔离层；

在所述堆叠体中形成贯穿至所述衬底并沿第一方向排列的多个沟道孔阵列，并在各所述沟道孔阵列中的沟道通孔中形成沟道结构；

在所述堆叠体中形成贯穿至所述衬底的虚拟沟道孔列，各所述虚拟沟道孔列位于相邻所述沟道孔阵列之间，且各所述虚拟沟道孔列中的虚拟沟道孔沿第二方向分布，在各所述虚拟沟道孔中形成填充部以形成虚拟沟道结构；

将所述牺牲层置换为控制栅结构，以形成栅极堆叠结构，在所述栅极堆叠结构中形成贯穿至所述衬底的多个共源极，多个所述沟道孔阵列位于相邻所述共源极之间；

在所述栅极堆叠结构表面形成顶部选择栅切线，所述顶部选择栅切线贯穿所述虚拟沟道孔列中各所述填充部的顶部。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述虚拟沟道孔中填充绝缘材料以形成所述填充部。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述虚拟沟道孔中的所述虚拟沟道结构与所述沟道通孔中的沟道结构同步形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，各所述沟道孔阵列包括沿所述第一方向分布的多个沟道孔列，各所述沟道孔列中的所述沟道通孔沿所述第二方向分布，相邻的各所述沟道孔列交错设置，且各所述虚拟沟道孔列与相邻各所述沟道孔列交错设置。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，各所述沟道孔阵列包括沿所述第一方向分布的多个沟道孔列，各所述沟道孔列中的所述沟道通孔沿所述第二方向分布，各所述沟道孔列中所述沟道通孔的数量相同。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，各所述沟道孔阵列具有数量相同的所述沟道通孔。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，各所述虚拟沟道孔列中的所述虚拟沟道孔与各所述沟道孔列中的所述沟道通孔数量相同。