[发明专利]半导体装置用基板、半导体装置用基板的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置用基板，其为在基板(16)的表面形成有外部电极(3)的半导体装置用基板，其特征在于，

外部电极(3)具备：形成于基板(16)表面的第三表面层(7)、形成于第三表面层(7)表面的外部电极主体部(9)、以及形成于外部电极主体部(9)表面的第四表面层(13)，

外部电极(3)的外部电极主体部(9)由非磁性的Ni-P形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置用基板，其中，外部电极(3)的外部电极主体部(9)由Ni-P的电镀层形成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置用基板，其中，外部电极(3)的外部电极主体部(9)的维氏硬度为400～600HV。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置用基板，其中，外部电极(3)的总厚度T1为20～100μm。

5.一种半导体装置用基板，其为在基板(16)的表面形成有半导体元件(1)的搭载衬垫(2)和外部电极(3)的半导体装置用基板，其特征在于，

搭载衬垫(2)具备：形成于基板(16)表面的第一表面层(6)、形成于第一表面层(6)表面的搭载衬垫主体部(8)、以及形成于搭载衬垫主体部(8)表面的第二表面层(12)，

外部电极(3)具备：形成于基板(16)表面的第三表面层(7)、形成于第三表面层(7)表面的外部电极主体部(9)、以及形成于外部电极主体部(9)表面的第四表面层(13)，

搭载衬垫(2)的搭载衬垫主体部(8)和外部电极(3)的外部电极主体部(9)分别由非磁性的Ni-P形成。

6.根据权利要求5所述的半导体装置用基板，其中，搭载衬垫(2)的搭载衬垫主体部(8)和外部电极(3)的外部电极主体部(9)分别由Ni-P的电镀层形成。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置用基板，其中，搭载衬垫(2)的搭载衬垫主体部(8)和外部电极(3)的外部电极主体部(9)的维氏硬度为400～600HV。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置用基板，其中，搭载衬垫(2)和外部电极(3)各自的总厚度T1为20～100μm。

9.一种半导体装置用基板的制造方法，其为在基板(16)的表面形成有外部电极(3)的半导体装置用基板的制造方法，其特征在于，包括：

抗蚀剂图案化工序，在基板(16)的表面形成图案抗蚀剂；

第一金属层形成工序，使用所述图案抗蚀剂在基板(16)的表面形成外部电极(3)的第三表面层(7)；

主体部形成工序，在第三表面层(7)的表面形成外部电极主体部(9)；以及

第二金属层形成工序，在外部电极主体部(9)的表面形成第四表面层(13)；

在主体部形成工序中，对第三表面层(7)的表面实施Ni-P的电镀处理，形成外部电极主体部(9)。

10.一种半导体装置用基板的制造方法，其为在基板(16)的表面形成有半导体元件(1)的搭载衬垫(2)和外部电极(3)的半导体装置用基板的制造方法，其特征在于，包括：

抗蚀剂图案化工序，在基板(16)的表面形成图案抗蚀剂；

第一金属层形成工序，使用所述图案抗蚀剂在基板(16)的表面形成搭载衬垫(2)的第一表面层(6)和外部电极(3)的第三表面层(7)；

主体部形成工序，在第一表面层(6)和第三表面层(7)的各表面形成搭载衬垫主体部(8)和外部电极主体部(9)；以及

第二金属层形成工序，在搭载衬垫主体部(8)的表面形成第二表面层(12)、在外部电极主体部(9)的表面形成第四表面层(13)；

在主体部形成工序中，对第一表面层(6)和第三表面层(7)的表面实施Ni-P的电镀处理，形成搭载衬垫主体部(8)和外部电极主体部(9)。