[发明专利]MiniLED晶圆缺陷的高精度检测系统及其检测方法有效
申请号: | 202110234845.7 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN112599438B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 姜涌;杜亚玲;王巧彬;苏达顺 | 申请(专利权)人: | 惠州高视科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G01N21/95 |
代理公司: | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 | 代理人: | 陈文福 |
地址: | 516000 广东省惠州市惠澳大道惠南高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | miniled 缺陷 高精度 检测 系统 及其 方法 | ||
本发明公开一种Mini LED晶圆缺陷的高精度光学检测系统及其检测方法,本发明涉及微型器件缺陷检测技术领域,解决现有技术中晶圆光学检测精度与效率无法兼顾而导致无法全检的问题,通过缺陷分析单元对晶圆缺陷数据进行分析,实现对缺陷进行检测、获取晶圆存在缺陷数据,通过公式获取到晶圆的缺陷分析系数Xi,根据晶圆的缺陷分析系数Xi与缺陷分析系数阈值校对判定对应晶圆是否存在缺陷。在判定存在缺陷时生成晶圆缺陷信号并将晶圆缺陷信号发送至云检测平台,将晶圆标记为缺陷晶圆,并生成匹配信号并将匹配信号和缺陷晶圆发送至检测匹配单元。本发明提高缺陷检测的准确性,提高工作效率。
技术领域
本发明涉及缺陷检测技术领域,具体为MiniLED晶圆缺陷的高精度检测系统及其检测方法。
背景技术
随着智能设备的显示技术不断创新发展,对屏幕的分辨率要求越来越高,MiniLED阵列器件应运而生。与常规LED相比,MiniLED的尺寸进一步减少,制作工艺更为复杂,因此对MiniLED的检测要求及难度会进一步提高。由于MiniLED的尺寸一般在100μm-200μm,而常规LED的尺寸一般大于1000μm,所以目前常规LED的外观缺陷自动化检测系统,其检测光学分辨率未能满足Mini LED的检测要求;目前对MiniLED外观缺陷检测多采用显微镜的人工检测方式,普遍存在检测效率低下满足不了产能需求、人工检测容易疲劳导致检测结果参差不齐、人为误差导致标准不统一等缺点。
但是在现有技术中,晶圆的光学检测精度与效率无法兼顾而导致无法全检的技术问题。
发明内容
本发明的目的就在于提出MiniLED晶圆缺陷的高精度检测系统及其检测方法,通过缺陷分析单元对晶圆的缺陷数据进行分析,从而对缺陷进行检测,获取到晶圆存在的缺陷数据,通过公式获取到晶圆的缺陷分析系数Xi,若晶圆的缺陷分析系数Xi≥缺陷分析系数阈值,则判定对应晶圆存在缺陷,生成晶圆缺陷信号并将晶圆缺陷信号发送至云检测平台,云检测平台接收到晶圆缺陷信号后,将晶圆标记为缺陷晶圆,随后生成匹配信号并将匹配信号和缺陷晶圆发送至检测匹配单元;若晶圆的缺陷分析系数Xi<缺陷分析系数阈值,则判定对应晶圆不存在缺陷,生成晶圆正常信号并将晶圆正常信号发送至云检测平台,云检测平台接收到晶圆正常信号后,生成不检测信号并将不检测信号发送至管理人员的手机终端;对晶圆进行缺陷分析,提高了缺陷检测的准确性,从而提高了工作效率。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
MiniLED晶圆缺陷的高精度检测系统,包括缺陷分析单元、检测匹配单元、平整度分析单元、镜头分析单元、云检测平台、注册登录单元以及数据库;
所述缺陷分析单元用于对晶圆的缺陷数据进行分析,从而对缺陷进行检测,晶圆的缺陷数据包括类型数据、数量数据以及尺寸数据,类型数据为晶圆存在的缺陷类型的种类数量,数量数据为晶圆存在对应缺陷类型的缺陷数量,尺寸数据为晶圆存在缺陷的平均尺寸,将晶圆标记为i,i=1,2,……,n,n为正整数,具体分析检测过程如下:
步骤S1:获取到晶圆存在的缺陷类型的种类数量,并将圆存在的缺陷类型的种类数量标记为Si;
步骤S2:获取到晶圆存在对应缺陷类型的缺陷数量,并将晶圆存在对应缺陷类型的缺陷数量标记为Qi;
步骤S3:获取到晶圆存在缺陷的平均尺寸,并将晶圆存在缺陷的平均尺寸标记为Ci;
步骤S4:通过公式获取到晶圆的缺陷分析系数Xi,其中,a1、a2以及a3均为比例系数,且a1>a2>a3>0;
步骤S5:将晶圆的缺陷分析系数Xi与缺陷分析系数阈值进行比较:
若晶圆的缺陷分析系数Xi≥缺陷分析系数阈值,则判定对应晶圆存在缺陷,生成晶圆缺陷信号并将晶圆缺陷信号发送至云检测平台,云检测平台接收到晶圆缺陷信号后,将晶圆标记为缺陷晶圆,随后生成匹配信号并将匹配信号和缺陷晶圆发送至检测匹配单元;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造