[发明专利]MiniLED晶圆缺陷的高精度检测系统及其检测方法有效
申请号: | 202110234845.7 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN112599438B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 姜涌;杜亚玲;王巧彬;苏达顺 | 申请(专利权)人: | 惠州高视科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G01N21/95 |
代理公司: | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 | 代理人: | 陈文福 |
地址: | 516000 广东省惠州市惠澳大道惠南高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | miniled 缺陷 高精度 检测 系统 及其 方法 | ||
1.Mini LED晶圆缺陷的高精度光学检测系统,其特征在于,包括缺陷分析单元、检测匹配单元、平整度分析单元、镜头分析单元、云检测平台、注册登录单元以及数据库;
所述缺陷分析单元用于对晶圆的缺陷数据进行分析,从而对缺陷进行检测,晶圆的缺陷数据包括类型数据、数量数据以及尺寸数据,类型数据为晶圆存在的缺陷类型的种类数量,数量数据为晶圆存在对应缺陷类型的缺陷数量,尺寸数据为晶圆存在缺陷的平均尺寸,将晶圆标记为i,i=1,2,……,n,n为正整数,具体分析检测过程如下:
步骤S1:获取到晶圆存在的缺陷类型的种类数量,并将圆存在的缺陷类型的种类数量标记为Si;
步骤S2:获取到晶圆存在对应缺陷类型的缺陷数量,并将晶圆存在对应缺陷类型的缺陷数量标记为Qi;
步骤S3:获取到晶圆存在缺陷的平均尺寸,并将晶圆存在缺陷的平均尺寸标记为Ci;
步骤S4:通过公式获取到晶圆的缺陷分析系数Xi,其中,a1、a2以及a3均为比例系数,且a1>a2>a3>0;
步骤S5:将晶圆的缺陷分析系数Xi与缺陷分析系数阈值进行比较:
若晶圆的缺陷分析系数Xi≥缺陷分析系数阈值,则判定对应晶圆存在缺陷,生成晶圆缺陷信号并将晶圆缺陷信号发送至云检测平台,云检测平台接收到晶圆缺陷信号后,将晶圆标记为缺陷晶圆,随后生成匹配信号并将匹配信号和缺陷晶圆发送至检测匹配单元;
若晶圆的缺陷分析系数Xi<缺陷分析系数阈值,则判定对应晶圆不存在缺陷,生成晶圆正常信号并将晶圆正常信号发送至云检测平台,云检测平台接收到晶圆正常信号后,生成不检测信号并将不检测信号发送至管理人员的手机终端;
所述检测匹配单元用于对缺陷晶圆参数和显微镜参数进行分析,从而对缺陷晶圆合理匹配显微镜,缺陷晶圆参数包括缺陷晶圆的尺寸与缺陷晶圆的颗粒数量,显微镜参数包括显微镜的显示倍数和显微镜的视野面积,将显微镜标记为o,o=1,2,……,m,m为正整数,具体分析匹配过程如下:
步骤SS1:获取到缺陷晶圆的尺寸与缺陷晶圆的颗粒数量,并将缺陷晶圆的尺寸与缺陷晶圆的颗粒数量分别标记为CC和SL;并通过公式获取到缺陷晶圆的等级系数QX,其中,b1和b2均为比例系数,且b1>b2>0,e为自然常数;
步骤SS2:将缺陷晶圆的等级系数QX与L1和L2进行比较,L1和L2均为缺陷晶圆的等级系数阈值,且L1>L2;
若缺陷晶圆的等级系数QX≥L1,则将对应缺陷晶圆标记为第一等级缺陷晶圆;
若缺陷晶圆的等级系数L2<QX<L1,则将对应缺陷晶圆标记为第二等级缺陷晶圆;
若缺陷晶圆的等级系数QX<L2,则将对应缺陷晶圆标记为第三等级缺陷晶圆;
步骤SS3:获取到显微镜的显示倍数和显微镜的视野面积,并将显微镜的显示倍数和显微镜的视野面积分别标记为XSo和MJo;并通过公式获取到显微镜的等级系数DJo,其中,b3和b4均为比例系数,且b3>b4>0,e为自然常数;
步骤SS4:将显微镜的等级系数DJo与L3和L4进行比较,L3和L4均为显微镜的等级系数阈值,且L3>L4;
若显微镜的等级系数DJo≥L3,则将对应显微镜标记为第一等级显微镜;
若显微镜的等级系数L4<DJo<L3,则将对应显微镜标记为第二等级显微镜;
若显微镜的等级系数DJo≤L4,则将对应显微镜标记为第三等级显微镜;
步骤SS5:将缺陷晶圆与显微镜按照等级相互匹配,并将匹配得缺陷晶圆和显微镜发送至管理人员的手机终端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造