[发明专利]优化功率钳位的方法和装置有效
| 申请号： | 202110234633.9 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113364478B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 蒋荣;胡沙利·沙阿;彼得·培根 | 申请（专利权）人： | 派赛公司 |
| 主分类号： | H04B1/16 | 分类号： | H04B1/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;姚文杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 优化 功率 方法 装置 | ||
1.一种具有输入和输出的钳位电路，所述钳位电路包括：
a.旁路开关，其耦接在所述输入与所述输出之间；
b.第一信号路径开关和第二信号路径开关，所述第一信号路径开关和所述第二信号路径开关串联耦接在所述输入与所述输出之间并且与所述旁路开关并联耦接；以及
c.钳位器件，其具有耦接在所述第一信号路径开关与所述第二信号路径开关之间的第一端子和耦接至参考电位的第二端子。
2.根据权利要求1所述的钳位电路，其中，所述钳位器件是二极管。
3.根据权利要求1所述的钳位电路，其中，所述钳位器件是被配置为二极管的至少一个金属氧化物硅场效应晶体管MOSFET。
4.根据权利要求1所述的钳位电路，其中，所述旁路开关、所述第一信号路径开关和所述第二信号路径开关中的至少一个是MOSFET。
5.根据权利要求4所述的钳位电路，其中，所述MOSFET是使用绝缘体上硅来制造的。
6.一种射频前端，包括：
a.旁路路径，其包括根据权利要求1所述来配置的钳位电路；
b.输入选择开关，其具有至少一个输入以及至少第一输出和第二输出，第一输入选择器开关输出耦接至直接增益路径并且第二输入选择器输出耦接至所述钳位电路的输入，所述输入选择器开关的输入被选择性地耦接至输入选择器开关输出之一；以及
c.具有输出的输出选择开关，所述输出选择开关的输出通过所述输出选择开关被选择性地耦接至所述直接增益路径或所述钳位电路的输出。
7.根据权利要求6所述的射频前端，其中，所述直接增益路径还包括耦接在所述输入选择开关与所述输出选择开关之间的放大器。
8.根据权利要求7所述的射频前端，还包括耦接在所述放大器与所述输出选择开关之间的第二钳位电路。
9.根据权利要求8所述的射频前端，其中，所述第二钳位电路根据权利要求1所述来配置。
10.根据权利要求8所述的射频前端，还包括耦接在所述放大器与所述第二钳位电路之间的输出衰减器。
11.根据权利要求10所述的射频前端，还包括耦接在第一钳位电路与所述输出选择开关之间的旁路输出衰减器。
12.根据权利要求11所述的射频前端，还包括耦接在所述输入选择开关与所述第一钳位电路之间的输入衰减器。
13.根据权利要求6所述的射频前端，还包括耦接在所述输出选择开关与所述射频前端的输出之间的第二钳位电路。
14.根据权利要求13所述的射频前端，所述第二钳位电路被配置为根据权利要求1所述的钳位电路。
15.根据权利要求8所述的射频前端，还包括耦接在所述输出选择开关与所述射频前端的输出之间的第三钳位电路。
16.根据权利要求12所述的射频前端，还包括耦接在所述输入选择开关与所述输入衰减器之间的第三钳位电路。
17.根据权利要求16所述的射频前端，所述第三钳位电路根据权利要求1所述来配置。
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