[发明专利]像素阵列和其形成方法

权利要求书

1.一种像素阵列，其特征在于，包括：

一第一像素区域；

一第二像素区域；以及

一深沟槽隔离结构，在该第一像素区域与该第二像素区域之间，该深沟槽隔离结构以一氧化物材料填充，

其中形成在该氧化物材料中的一气隙包括该深沟槽隔离结构中至少75％的一面积。

2.根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，该气隙形成以减少该第一像素区域与该第二像素区域之间的光学串扰。

3.根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，进一步包括：

一高吸收区域，在该第一像素区域中；以及

一额外气隙，形成在该高吸收区域中。

4.一种形成像素阵列的方法，其特征在于，包括：

在一像素阵列的一像素区域的一基板中形成一光电二极管；

在该光电二极管的一第一侧形成一第一深沟槽隔离结构；

在该光电二极管的一第二侧(相反侧)形成一第二深沟槽隔离结构；

在该第一深沟槽隔离结构中沉积一氧化物材料，使得一第一气隙形成在该第一深沟槽隔离结构至少75％的一面积中；以及

在该第二深沟槽隔离结构中沉积该氧化物材料，使得一第二气隙形成在该第二深沟槽隔离结构至少75％的一面积中。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在该第一深沟槽隔离结构上方、该第二深沟槽隔离结构上方及该光电二极管上方形成一抗反射涂层；

在该抗反射涂层上方形成一色彩滤光片层；以及

在该色彩滤光片层上方形成一微透镜。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在该第一深沟槽隔离结构中沉积该氧化物材料包括：

以一沉积速率将该氧化物材料沉积在该第一深沟槽隔离结构中，使得在该氧化物材料填充该第一深沟槽隔离结构的一中心区域之前，该氧化物材料填充该第一深沟槽隔离结构的一顶部区域，从而形成该第一气隙。

7.一种像素阵列，其特征在于，包括：

一第一像素区域；

一第二像素区域；

一深沟槽隔离结构，在该第一像素区域与该第二像素区域之间，该深沟槽隔离结构以一第一气隙填充；

一第一微透镜，形成在该第一像素区域中；

一第二微透镜，形成在该第二像素区域中，

其中一第二气隙存在于该第一微透镜与该第二微透镜之间；

多个高吸收区域，在该第一像素区域中；以及

相应的一第三气隙，形成在所述多个高吸收区域的每一者中。

8.根据权利要求7所述的像素阵列，其特征在于，进一步包括：

一第三像素区域；以及

一额外深沟槽隔离结构，在该第一像素区域与该第三像素区域之间，该额外深沟槽隔离结构以该氧化物材料填充且具有一第四气隙形成于其中。

9.根据权利要求7所述的像素阵列，其特征在于，该深沟槽隔离结构中不多于25％的一面积以一氧化物材料填充，以及

其中该深沟槽隔离结构至少75％的该面积以该第一气隙填充，该第一气隙通过该深沟槽隔离结构中的该氧化物材料所形成。

10.根据权利要求7所述的像素阵列，其特征在于，该第一气隙及该第二气隙中的每一者的一高度在1.5微米至10微米的范围中，以及

其中该第一气隙及该第二气隙中的每一者的一宽度在0.7微米至1.3微米的范围中。