[发明专利]一种校准口与RAE端口的隔离电路结构

权利要求书

1.一种校准口与RAE端口的隔离电路结构；包括双面覆铜的PCB板，一个覆铜面定为校准网络、校准口、RAE端口以及复用口所在的面，称为正向面，另一个覆铜面定为信号地和负极，称为背向面；其特征是：在复用口至RAE端口的线路上设有若干用来构成低通滤波的枝节线路；还设有以导体材料制成的第一耦合段和第二耦合段；第一耦合段和第二耦合段同向布置；第一耦合段的一端与复用口导通，第二耦合段的一端与校准口导通；在背向面的覆铜上留有开缝，开缝的长度L为校准网络中心频率所对应波长的四分之一，宽度w为0.3mm～3mm；开缝在正向面上的投影横跨第一耦合段和第二耦合段；复合口和校准口处在开缝的该投影的一侧，第一耦合段的另一端和第二耦合段的另一端处在开缝的该投影的另一侧，第二耦合段的该另一端至开缝的该投影之间的距离d为1mm～3mm；

第二耦合段的该另一端穿过PCB的介质层而与背向面电导通。

2.如权利要求1所述的一种校准口与RAE端口的隔离电路结构，其特征是：所述开缝为直线形态的开缝，或者为弯折形态的开缝。

3.如权利要求1所述的一种校准口与RAE端口的隔离电路结构，其特征是：所述枝节线路为盘绕形态的微带线。

4.如权利要求1所述的一种校准口与RAE端口的隔离电路结构，其特征是：第二耦合段与背向面导通的结构采用金属化孔。

5.如权利要求1所述的一种校准口与RAE端口的隔离电路结构，其特征是：第一耦合段的阻抗在35～75欧姆之间，电长度在45～130度之间。

6.如权利要求1所述的一种校准口与RAE端口的隔离电路结构，其特征是：第二耦合段为50欧姆微带线。