[发明专利]双面等离子体增强化学气相沉积结构与沉积装置

说明书

本发明公开了一种双面等离子体增强化学气相沉积结构，其包括箱体以及设于箱体之腔体内的气盒机构、电极机构和载具，气盒机构用于导入气体，电极机构与气盒机构连接并用于电离气盒机构内的气体，载具位于箱体之远离气盒机构的进气口的一侧，载具内开设有开口朝上且沿箱体的前后方向呈前后贯通设置的槽体结构，槽体结构具有用于承载工件的第一承载面和第二承载面，载具可摆动地设于箱体并带动工件于第一承载面与第二承载面之间切换，箱体开设有与沉积室的输出端连接的抽气口。故本发明的双面等离子体增强化学气相沉积结构具有沉积效果优良和效率高的优点。本发明还提供一种沉积装置。

技术领域

本发明涉及双面等离子体增强化学气相沉积结构，尤其涉及一种可同时对多种不同气体进行电离的双面等离子体增强化学气相沉积结构。

背景技术

随着经济建设的快速发展，微电子技术得到了迅猛的发展，等离子体增强化学气相沉积(英文全称：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)设备的开发和使用也日益广泛。PECVD设备是利用高频电源辉光放电，产生等离子体化学沉积的设备，由于等离子体的存在，从而降低沉积温度。目前，PECVD设备广泛的用于液晶显示行业、太阳能电池行业、半导体器件及大规模集成电路的制造行业等。

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通常被用来在基板(例如用于平面面板显示器的透明基板或半导体晶片)上沉积材料层。PECVD通常是通过导引前驱物气体或气体混合物进入含有基板的真空腔室来完成，通过施加射频给前驱物气体或者气体混合物使其被能量化(例如激发)成等离子体，这些等离子体可以相互反应或者与基底表面物质反应以便沉积成材料层。

目前现有的电离装置通常只能同时对一种气体进行电离，在需要在基板上依次沉积多层沉积层时，需要将沉积好的一层的基板移动到另一电离装置中进行另一材质的沉积，或者是等待基板完全沉积好一层后再通以另一气体进行另一材质的沉积，无论采用何种沉积方式和手段，都是先完全沉积好一层后再沉积另一层，对于需要在基板上沉积多层沉积层的需求时，需要反复的进行重复性的操作，沉积效率低且操作繁琐。

因此，亟需一种可同时进行多层沉积的双面等离子体增强化学气相沉积结构。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种能够双面沉积加工的双面等离子体增强化学气相沉积结构，其具有沉积效果优良、效率高和适用性强等优点。

本发明的另一目的在于提供一种沉积装置，其具有沉积效果优良、效率高和适用性强等优点。

为实现上述目的，本发明的双面等离子体增强化学气相沉积结构包括箱体以及设于所述箱体之腔体内的气盒机构、电极机构和载具，所述气盒机构用于导入气体，所述电极机构与所述气盒机构连接并用于电离所述气盒机构内的气体，所述载具位于所述箱体之远离所述气盒机构的进气口的一侧，所述载具内开设有开口朝上且沿所述箱体的前后方向呈前后贯通设置的槽体结构，以形成沉积室，所述槽体结构具有用于承载工件的第一承载面和第二承载面，所述载具可摆动地设于所述箱体并带动工件于所述第一承载面与所述第二承载面之间切换，所述箱体开设有与所述沉积室的输出端连接的抽气口，借由所述抽气口的抽气使得所述气盒机构内电离的气体沉积于所述载具处的工件。

较佳地，所述气盒机构包括呈中空结构的气盒体，所述中空结构形成气腔，所述进气口开设于所述气盒体的前侧中心处，所述进气口与所述气腔连通且穿置于所述箱体之前侧，所述气盒体的一侧呈平行的等间距设置有隔板，相邻两所述隔板之间的所述气盒体的一侧贯穿开设有与所述气腔连通的呈条状的出气口，所述出气口之间呈平行的等间距设置，相邻两所述隔板之间形成电离腔，所述电极机构包括承载体，所述承载体上呈平行且等间距的延伸出与所述电离腔对应的电极条，所述电极条对应悬置于所述电离腔中。

较佳地，所述载具的第一承载面与所述第二承载面共同形成“V”型槽结构。