[发明专利]一种阵列式结构的LED芯片

说明书

本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种阵列式结构的LED芯片，包括芯片本体，芯片本体的顶端安装有多个处理器，芯片本体的顶端固定连接有多个第一传导带，第一传导带呈横向排列，芯片本体的底端固定连接有多个第二传导带，第二传导带呈纵向排列，芯片本体的前端、后端、左端和右端均固定连接有导热板，芯片本体的左端和右端均固定连接有储液箱，各相邻的导热板均连通，储液箱和对应导热板连通，储液箱的内部设置有导热液，各储液箱的内部均设置有帕尔贴组，帕尔贴组的外侧壁缠绕有导热丝，各储液箱的自由端均设置有开口，各储液箱的自由端均安装有盖板；其散热效果较高，使用寿命较高。

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种阵列式结构的LED芯片。

背景技术

LED芯片为一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来，LED芯片的内部设置有多个处理单元。

经检索，专利公开号为CN110085620A公开了一种微阵列集成LED芯片，包括通过阵列式结构相连的多个GaN基LED芯片，相邻的GaN基LED芯片通过透明绝缘层相连且衬底为一体式结构；每个GaN基LED芯片结构包括从下到上依次包括：衬底、缓冲层、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、ITO层和透明绝缘层；还包括从上到下贯穿至N型GaN层的第一台面和从N型GaN层到衬底的第二台面，N电极设置在N型GaN层的第一台面上且端部裸露在透明绝缘层外，P电极贯穿透明绝缘层和ITO层与P型GaN层相连。本发明还提供了该微阵列集成LED芯片的制备方法，该微阵列集成LED芯片高密度集成封装、亮度高，同时还能够实现小尺寸芯片的快速整体转移和封装。

其在使用的过程中，散热效果较低，在进行大量计算后，部分热量散发不及时，长期处于高温环境中，影响使用寿命。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种散热效果较高，使用寿命较高的阵列式结构的LED芯片。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种阵列式结构的LED芯片，包括芯片本体，所述芯片本体的顶端安装有多个处理器，所述芯片本体的顶端固定连接有多个第一传导带，所述第一传导带呈横向排列，所述芯片本体的底端固定连接有多个第二传导带，所述第二传导带呈纵向排列，所述芯片本体的前端、后端、左端和右端均固定连接有导热板，所述芯片本体的左端和右端均固定连接有储液箱，所述第一传导带、第二传导带和导热板的内部均设置有空腔，各相邻的导热板均连通，所述储液箱和对应所述导热板连通，所述储液箱的内部设置有导热液，各所述储液箱的内部均设置有帕尔贴组，所述帕尔贴组的外侧壁缠绕有导热丝，所述导热丝的一端穿过各第一传导带、第二传导带和导热板，各所述储液箱的自由端均设置有开口，各所述储液箱的自由端均安装有盖板。

优选的，所述芯片本体的前侧设置有连接箱，所述连接箱的顶端和储液箱的底端固定连接，所述连接箱的内部设置有铝管，所述铝管呈弯折状，所述连接箱的内部设置有玻璃纤维，所述玻璃纤维位于所述铝管的下侧，所述铝管的左端和右端均连通有传导管，所述传导管的顶端均连通有转接管，各所述转接管均和各所述储液箱连通。

优选的，所述导热液为导热硅油。

优选的，所述储液箱和各对应所述盖板通过螺钉连接，所述盖板和所述储液箱之间设置有密封垫。

优选的，所述导热丝的外壁固定连接有多个长丝，所述长丝的一端和对应所述第一传导带、第二传导带和导热板的内壁固定连接。

优选的，所述导热丝和长丝均为银丝。

优选的，所述第一传导带和第二传导带均为金刚石。

(三)有益效果