[发明专利]一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置

说明书

本申请实施例涉及一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置，薄膜晶体管包括基板；半导体层，叠置于基板；第一导电层，叠置于半导体层；第二导电层，叠置于半导体层，第二导电层与第一导电层之间具有间隙，以使第一导电层和第二导电层绝缘；绝缘层，叠置于半导体层；栅极，叠置于绝缘层；漏极，与第一导电层电连接；源极，与第二导电层电连接。通过在半导体层形成第一导电层和第二导电层，漏极和第一导电层电连接，源极和第二导电层电连接，则不需要将半导体层进行导体化处理，因此，不存在漏区和源区向中间的半导体区扩散的现象，在不对栅极施加电压的情况下，第一导电层和第二导电层不会导通，本申请提供的薄膜晶体管的电学特性好，且使用寿命长。

技术领域

本发明实施例涉及显示装置技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵显示器件中一个非常重要的半导体器件。薄膜晶体管一般包括半导体层、源极、栅极和漏极。其中，源极和漏极分别与半导体层电连接。在栅极施加电压，当电压达到一定条件时，源极和栅极将导通。即，薄膜晶体管可利用电信号来控制自身的开合。另外，薄膜晶体管具有厚度薄、体积小、开关速度快等优点，薄膜晶体管被广泛应用。

本发明的发明人在实现本发明的过程中，发现：目前，薄膜晶体管的半导体层被导体化而形成源区和漏区，源区与源极电连接，漏区与漏极电连接，源区和漏区之间是半导体区，半导体层被导体化形成源区和漏区后，源区和漏区会向半导体区扩散，导致半导体区缩短，因此，薄膜晶体管不稳定且在半导体区缩短时，在不对栅极施加电压的情况下，源区和漏区容易导通，从而导致薄膜晶体管失效，用户体验不好。

发明内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置，克服了上述问题或者至少部分地解决了上述问题。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种薄膜晶体管，包括：基板；半导体层，叠置于所述基板；第一导电层，叠置于所述半导体层；第二导电层，叠置于所述半导体层，所述第二导电层与第一导电层之间具有间隙，以使所述第一导电层和第二导电层绝缘；绝缘层，叠置于所述半导体层；栅极，叠置于所述绝缘层；漏极，与所述第一导电层电连接；源极，与所述第二导电层电连接。

在一种可选的方式中，所述第一导电层和第二导电层的材料均为导电金属。

在一种可选的方式中，所述绝缘层位于所述间隙。

在一种可选的方式中，所述薄膜晶体管还包括屏蔽层，所述屏蔽层叠置于所述基板，所述半导体层叠置于所述屏蔽层。

在一种可选的方式中，所述半导体层叠置与所述屏蔽层的中部，所述屏蔽层的两侧区域裸露，裸露的所述屏蔽层的两侧区域为可挠区域。

在一种可选的方式中，所述薄膜晶体管还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层叠置于所述可挠区域、第一导电层、第二导电层和栅极。

在一种可选的方式中，所述层间绝缘层设置第一通孔和第二通孔，所述漏极和源极均叠置于所述层间绝缘层，所述漏极穿过所述第一通孔后与所述第一导电层电连接，所述源极穿过所述第二通孔后与所述第二导电层电连接。

在一种可选的方式中，所述薄膜晶体管还包括钝化层和平坦化层；所述钝化层和平坦化层依次叠置于所述层间绝缘层、漏极和源极；所述平坦化层远离所述基板的一表面与所述基板远离所述平坦化层的一表面平行。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种显示面板，包括所述的薄膜晶体管；阳极，与所述薄膜晶体管的漏极电连接；像素定义层，叠置于所述阳极，所述像素定义层设置像素口，以使所述阳极于所述像素口处裸露；支撑层，叠置于所述像素定义层。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种显示装置，包括所述的显示面板。