[发明专利]阵列基板及显示面板

说明书

公开一种阵列基板及显示面板，包括依次层叠设置的衬底、第一电极、第一绝缘层、第二电极，设置于第二电极上的第一有源层和第二有源层，设置于第一有源层和第二有源层上的第二绝缘层，以及设置于第二绝缘层上的第一栅极和第二栅极，第一有源层的两端分别与所述第二电极、第一电极形成欧姆接触，第二有源层的两端分别与第二电极、第一电极形成欧姆接触。本发明实施例提供具有双沟道双栅的立体TFT结构，当其中一个沟道失效后，另外一个沟道仍然能够起到开关作用，可提高器件的可靠性；另外，双沟道的设计可在一定程度上提高源极和漏极之间的电流，且本发明实施例不需要对有源层进行导体化处理，可降低薄膜晶体管的生产成本，简化制作工艺。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有宽视角、广色域、高对比度、低功耗和可折叠/柔性等一系列优点，在当今显示技术中极具竞争力和发展前景，其中AMOLED(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)技术更是当前显示技术的重点发展方向之一。

IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)作为TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)中的非晶氧化物半导体薄膜，其载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也能大大提高像素的行扫描速率，使得大尺寸超高分辨率面板成为可能。另外，由于晶体管数量的减少和每个像素透光率的提高，IGZO显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。并且，IGZO可以利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面，IGZO相比低温多晶硅在AMOLED领域更具有竞争力。

但目前用来驱动显示面板的TFT器件有顶栅和底栅两种形式，通常只有一个沟道，当此沟道失效后，就无法继续起到开关作用，因此会降低器件的可靠性。

综上，现有的TFT器件结构有待改进。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及显示面板，以解决现有的阵列基板的薄膜晶体管通常只有一个沟道，当此沟道失效后，就无法起到开关的作用，会影响器件的可靠性的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板，包括：衬底；第一电极，设置于所述衬底上；第一绝缘层，设置于所述第一电极上；第二电极，设置于所述第一绝缘层上；第一有源层和第二有源层，间隔设置于所述第二电极的两端上；第二绝缘层，设置于所述第一有源层和所述第二有源层上；以及第一栅极和第二栅极，间隔设置于所述第二绝缘层上，且所述第一栅极与所述第一有源层对应，所述第二栅极与所述第二有源层对应；其中，所述第一有源层的两端分别与所述第二电极、所述第一电极形成欧姆接触，所述第二有源层的两端分别与所述第二电极、所述第一电极形成欧姆接触。

在本发明的一些实施例中，所述第一有源层搭接在所述第二电极的一端，所述第二有源层搭接在所述第二电极的另一端。

在本发明的一些实施例中，所述第一绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述第一电极在所述衬底上的正投影内。

在本发明的一些实施例中，所述第一绝缘层包括多个过孔，所述第一有源层、所述第二有源层分别通过相应的过孔与所述第一电极连接。

在本发明的一些实施例中，所述第二电极在所述衬底上的正投影位于所述第一绝缘层在所述衬底上的正投影内。

在本发明的一些实施例中，所述第二绝缘层覆盖所述第一有源层和所述第二有源层。

在本发明的一些实施例中，所述阵列基板还包括：钝化层，设置于所述第一栅极和所述第二栅极上；平坦层，设置于所述钝化层上；阳极层，设置于所述平坦层上。