[发明专利]阵列基板及显示面板在审
申请号: | 202110230088.6 | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN113053913A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 杨欢 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
第一电极,设置于所述衬底上;
第一绝缘层,设置于所述第一电极上;
第二电极,设置于所述第一绝缘层上;
第一有源层和第二有源层,间隔设置于所述第二电极上;
第二绝缘层,设置于所述第一有源层和所述第二有源层上;以及
第一栅极和第二栅极,间隔设置于所述第二绝缘层上,且所述第一栅极与所述第一有源层对应,所述第二栅极与所述第二有源层对应;其中,所述第一有源层的两端分别与所述第二电极、所述第一电极形成欧姆接触,所述第二有源层的两端分别与所述第二电极、所述第一电极形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一有源层搭接在所述第二电极的一端,所述第二有源层搭接在所述第二电极的另一端。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述第一电极在所述衬底上的正投影内。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层包括多个过孔,所述第一有源层、所述第二有源层分别通过相应的过孔与所述第一电极连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二绝缘层覆盖所述第一有源层和所述第二有源层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
钝化层,设置于所述第一栅极和所述第二栅极上;
平坦层,设置于所述钝化层上;
阳极层,设置于所述平坦层上。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述平坦层上设置有过孔,所述过孔贯穿所述平坦层、所述钝化层以及所述第二绝缘层,所述阳极层通过所述过孔与所述第二电极电性连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅极和所述第一有源层位于所述过孔的一侧,所述第二栅极和所述第二有源层位于所述过孔的相对的另一侧。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极、所述第二电极、所述第一栅极以及所述第一有源层构成第一薄膜晶体管,所述第一电极、所述第二电极以及所述第二有源层构成第二薄膜晶体管。
10.一种显示面板,包括如权利要求1~9任一项所述的阵列基板,以及设置于所述阵列基板上的发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的