[发明专利]减反射片制备方法及减反射片

说明书

本发明公开了一种减反射片制备方法及减反射片，所述减反射片应用于3.7‑4.8μm波长范围，所述减反射片包括基片、第一膜层、第二膜层以及第三膜层，所述基片为硫系玻璃；所述制备方法包括：确定所述电子枪的二次电子的轰击位置；在所述轰击位置放置导热板；对所述真空腔室进行抽真空操作，并通过所述加热装置对所述基片进行梯度加热；当所述真空腔达到预设真空度并且所述基片达到预设温度时，通过所述电子枪执行镀膜操作。本申请通过使用导热板，对电子枪在进行膜层蒸镀时产生的热量进行散热，减小真空腔室内的温度变化，从而解决了现有技术中在非球面硫系玻璃基底上双面镀膜容易脱膜的问题。

技术领域

本发明涉及膜层制备技术领域，尤其涉及一种减反射片制备方法及减反射片。

背景技术

随着我国光学薄膜行业的高速发展，减反射膜在光学薄膜领域的应用是最重要和广泛的。近年来，由于硫系红外玻璃研究的深入，发现硫系红外玻璃具有宽广的红外透射窗口，可以从可见波段一直到14μm，并且其具有低的折射率温度系数和低色散系数，由于这些特点，使硫系红外玻璃广泛应用在医疗，交通，通信等领域。

由于硫系玻璃的软化点较低，并且其硬度较低，因此在硫系玻璃上制备减反射膜容易受到薄膜应力的影响，从而导致膜层脱落的问题，因此如何镀制制备牢固的减反射膜，是目前亟待解决的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种减反射片制备方法及减反射片。

第一方面，本申请提供一种减反射片制备方法，所述减反射片应用于 3.7-4.8μm波长范围，所述减反射片包括基片、第一膜层、第二膜层以及第三膜层，所述基片为硫系玻璃；所述制备方法应用于镀膜设备，所述镀膜设备包括真空腔室、真空系统，电子枪以及加热装置，所述制备方法包括：

确定所述电子枪的二次电子的轰击位置；

在所述轰击位置放置导热板；

对所述真空腔室进行抽真空操作，并通过所述加热装置对所述基片进行梯度加热；

当所述真空腔达到预设真空度并且所述基片达到预设温度时，通过所述电子枪执行镀膜操作，依次制备所述第一膜层、所述第二膜层以及所述第三膜层，其中，所述第一膜层为硒化锌或锗膜层，所述第二膜层为硫化锌膜层，所述第三膜层为氟化镱膜层。

可选的，所述对所述基片进行梯度加热的步骤，包括：

将所述基片加热至第一温度范围，并恒温30-50分钟，所述第一温度范围为40-60℃；

将所述基片加热至第二温度范围，并恒温30-50分钟，所述第二温度范围为60-80℃。

将所述基片加热至第三温度范围，并恒温30-50分钟，所述第三温度范围为80-100℃。

可选的，所述当所述真空腔达到预设真空度时，通过所述电子枪执行镀膜操作的步骤，之后还包括：

对所述基片按照预设温度进行恒温；

当恒温时长大于或等于第一预设时长时，对所述基片进行降温。

可选的，所述当恒温时长大于或等于第一预设时长时，对所述基片进行降温的步骤，包括：

当恒温时长大于或等于第一预设时长时，将所述基片降温至第三温度范围，并恒温30-50分钟，所述第三温度范围为80-100℃；

将所述基片降温至第二温度范围，并恒温30-50分钟，所述第二温度范围为60-80℃；

将所述基片降温至第一温度范围，并恒温30-50分钟，所述第一温度范围为40-60℃。

可选的，所述镀膜设备还包括离子源，所述当所述真空腔达到预设真空度并且所述基片达到预设温度时，通过所述电子枪执行镀膜操作的步骤，包括：