[发明专利]减反射片制备方法及减反射片

权利要求书

1.一种减反射片制备方法，其特征在于，所述减反射片应用于3.7-4.8μm波长范围，所述减反射片包括基片、第一膜层、第二膜层以及第三膜层，所述基片为硫系玻璃；所述制备方法应用于镀膜设备，所述镀膜设备包括真空腔室、真空系统，电子枪以及加热装置，所述制备方法包括：

确定所述电子枪的二次电子的轰击位置；

在所述轰击位置放置导热板；

对所述真空腔室进行抽真空操作，并通过所述加热装置对所述基片进行梯度加热；

当所述真空腔达到预设真空度并且所述基片达到预设温度时，通过所述电子枪执行镀膜操作，依次制备所述第一膜层、所述第二膜层以及所述第三膜层，其中，所述第一膜层为硒化锌或锗膜层，所述第二膜层为硫化锌膜层，所述第三膜层为氟化镱膜层。

2.根据权利要求1所述的减反射片制备方法，其特征在于，所述对所述基片进行梯度加热的步骤，包括：

将所述基片加热至第一温度范围，并恒温30-50分钟，所述第一温度范围为40-60℃；

将所述基片加热至第二温度范围，并恒温30-50分钟，所述第二温度范围为60-80℃；

将所述基片加热至第三温度范围，并恒温30-50分钟，所述第三温度范围为80-100℃。

3.根据权利要求1所述的减反射片制备方法，其特征在于，当所述真空腔达到预设真空度时，通过所述电子枪执行镀膜操作的步骤，之后还包括：

对所述基片按照预设温度进行恒温；

当恒温时长大于或等于第一预设时长时，对所述基片进行降温。

4.根据权利要求3所述的减反射片制备方法，其特征在于，所述当恒温时长大于或等于第一预设时长时，对所述基片进行降温的步骤，包括：

当恒温时长大于或等于第一预设时长时，将所述基片降温至第三温度范围，并恒温30-50分钟，所述第三温度范围为80-100℃；

将所述基片降温至第二温度范围，并恒温30-50分钟，所述第二温度范围为60-80℃；

将所述基片降温至第一温度范围，并恒温30-50分钟，所述第一温度范围为40-60℃。

5.根据权利要求1所述的减反射片制备方法，其特征在于，所述镀膜设备还包括离子源，所述当所述真空腔达到预设真空度并且所述基片达到预设温度时，通过所述电子枪执行镀膜操作的步骤，包括：

当所述真空腔达到预设真空度并且所述基片达到预设温度时，通过所述离子源对所述基片进行离子源清洗；

当对所述基片进行离子源清洗的时长达到第二预设时长后，执行镀膜操作。

6.根据权利要求1所述的减反射片制备方法，其特征在于，所述第一膜层的第一制备速率范围为0.4-1.5纳米/秒，所述第二膜层的第二制备速率范围为0.4-1.5纳米/秒，所述第三膜层的第三制备速率范围为0.4-1.5纳米/秒。

7.根据权利要求1所述的减反射片制备方法，其特征在于，所述当对所述基片进行离子源清洗的时长达到第二预设时长后，执行镀膜操作的步骤，包括：

当对所述基片进行清洗第二预设时长后，调整离子源预设参数，所述离子源预设参数包括屏极电压300V，加速极电压200V以及离子束流100mA。

8.一种减反射片，其特征在于，所述减反射片应用于3.7-4.8μm波长范围，所述减反射片包括基片、第一膜层、第二膜层以及第三膜层；

所述第一膜层为硒化锌或锗膜层；所述第二膜层为硫化锌膜层；

所述第三膜层为氟化镱膜层。

9.如权利要求8所述的减反射片，其特征在于，所述第一膜层为锗膜层，所述第一膜层的第一膜层厚度范围为20-60纳米；所述第二膜层的第二膜层厚度范围为550-800纳米；所述第三膜层的膜层厚度范围为700-900纳米；所述基片的厚度范围为1-5毫米。

10.如权利要求8所述的减反射片，其特征在于，所述第一膜层为硒化锌膜层，所述第一膜层的第一膜层厚度范围为100-300纳米；所述第二膜层的第二膜层厚度范围为400-600纳米；所述第三膜层的膜层厚度范围为600-800纳米；所述基片的厚度范围为1-5毫米。