[发明专利]一种提升转移良率的芯片转移方法有效
| 申请号: | 202110228522.7 | 申请日: | 2021-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN113013068B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
| 发明(设计)人: | 薛水源;庄文荣;孙明;付小朝 | 申请(专利权)人: | 东莞市中麒光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;刘光明 |
| 地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 提升 转移 芯片 方法 | ||
本发明公开一种提升转移良率的芯片转移方法,其采用设有压力检测件的转移结构,通过该转移结构拿取待转移的芯片并承载该芯片朝转接板运动预设距离,并通过其上的压力检测件检测该芯片与转移结构之间的压力来确认芯片是否正常转移至转接板,若感测到预设压力值,驱使转移结构回原;反之,通过转移结构承载该芯片继续朝转接板运动进行距离补偿直至压力检测件感测到预设压力值;然后,将转接板上的芯片的电极与基板上的焊盘电极对位并焊接固定。本发明可以有效避免因转接板翘曲、芯片厚度差异或者蓝膜变形导致转移至转接板上的芯片阵列出现漏芯等问题,从而避免基板漏芯的等情形,提高了芯片转移良率。
技术领域
本发明涉及LED芯片转移技术领域,具体涉及一种提升转移良率的芯片转移方法。
背景技术
Mini-LED和Micro-LED因具有功耗低、亮度高、发光效率好且轻薄等优点,已经成为未来显示技术的主流趋势。
目前,在Mini-LED和Micro-LED的制程工艺中,需要首先通过转移机构将芯片转移至转接板,然后再将转接板上的芯片转移至基板。在这过程中,由于存在转接板翘曲、芯片厚度差异或者承接待转移芯片的蓝膜变形等情况,芯片转移至转接板时,容易出现漏芯和双胞等问题,严重影响了后续转接板上的芯片与基板上的焊盘电极的焊接良率。这就导致了需要耗费大量时间返修,降低了工作效率。
因此,有必要提供一种可以提升转移良率的芯片转移方法,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以提升转移良率的芯片转移方法,以减少后续返修。
为实现上述目的,本发明提供了一种提升转移良率的芯片转移方法,包括:
(1)提供表面具有焊盘的基板、涂有粘胶的转接板以及转移结构,其中,所述转移结构上装设有压力检测件;
(2)采用所述转移结构拿取待转移的芯片并承载该芯片朝所述转接板运动预设距离,并通过其上的压力检测件检测该芯片与所述转移结构之间的压力,若感测到预设压力值,执行步骤(4);若未感测到所述预设压力值,执行步骤(3);
(3)承载该芯片继续朝所述转接板运动直至所述压力检测件感测到所述预设压力值后执行步骤(4);
(4)驱使所述转移结构回原;
(5)重复步骤(2)-(4),直至完成将芯片转移至所述转接板;
(6)将所述转接板上的芯片的电极与所述基板上的焊盘电极对位并焊接固定。
较佳地,在步骤(2)中,“承载待该芯片朝所述转接板运动预设距离”具体为:以第一速度承载芯片朝所述转接板运动第一距离,所述第一距离对应于该芯片未接触所述转接板的粘胶时的位置点;以第二速度承载该芯片继续朝所述转接板运动第二距离,所述第二速度小于所述第一速度,所述预设距离等于所述第一距离与所述第二距离之和。
较佳地,所述转移结构通过顶针承载芯片,所述顶针上设有所述压力检测件。
较佳地,在承载芯片朝所述转接板运动预设距离之前,还包括:通过光学检测装置获取所述转接板上的芯片放置位与芯片的位置在水平方向的偏移量;根据所述偏移量调整所述转接板或所述芯片使该芯片的位置对应相应的芯片放置位。
较佳地,在步骤(4)之前,还通过光学检测装置采集所述转接板的图像信息以判断该芯片是否准确转移至所述转接板。
较佳地,当且仅当芯片准确转移至所述转接板时,执行步骤(4)。
较佳地,在步骤(6)之前,还包括:通过光学检测装置检测所述焊盘的厚度,并根据所述焊盘的厚度调整所述转接板与所述基板之间的距离以使各芯片的电极分别与所述基板上对应的焊盘电极稳定接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





