[发明专利]基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法

说明书

本发明提供能够容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化的基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法。基片处理装置包括：基片保持部；喷嘴部；对喷嘴部供给处理液的导电性配管；将导电性配管与基准电位连接的接地线；设置在基片保持部的周围的液接收部，其接收从喷嘴部释放的液体；和用于测量导电性配管的导电性的劣化程度的劣化程度测量部，劣化程度测量部包括：对导电性配管供给测量用液体，从喷嘴部释放测量用液体的测量用液体供给部；对液接收部的接液面与基准电位之间施加电位差的电位差施加部；电流计，其在将测量用液体从喷嘴部释放到液接收部时，测量流过在液接收部的接液面与接地线之间经由测量用液体建立的电荷移动路径的电流值。

技术领域

本发明涉及基片处理装置和判断导电性配管的劣化程度的方法。

背景技术

半导体装置的制造工艺中包含通过从喷嘴对基片供给处理液而对基片实施液处理的液处理工序。从防止处理液导致的损伤和防止流过配管内部的处理液的摩擦导致的带电的观点出发，作为对喷嘴供给处理液的配管，通常使用在PFA等的氟类树脂组装有条纹形状的碳等的导电性部件的导电性配管(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-278972号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的基片处理装置的一个实施方式包括：处理基片的基片保持部；对保持于上述基片保持部的基片释放处理液的喷嘴部；与上述喷嘴部连接的导电性配管，其对上述喷嘴部供给处理液；将上述导电性配管与基准电位连接的接地线；设置在上述基片保持部的周围的液接收部，其接收从上述喷嘴部释放的液体；和劣化程度测量部，其用于测量上述导电性配管的导电性的劣化程度，上述劣化程度测量部包括：测量用液体供给部，其对上述导电性配管供给测量用液体，使上述测量用液体从上述喷嘴部释放；对上述液接收部的接液面与上述基准电位之间施加电位差的电位差施加部；和电流计，其在将上述测量用液体从上述喷嘴部释放到上述液接收部时，测量流过电荷移动路径的电流的电流值，其中上述电荷移动路径是在上述液接收部的接液面与上述接地线之间经由上述测量用液体而建立的。

发明效果

依照本发明，能够容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化。

附图说明

图1是一实施方式的基片处理装置的横截面图。

图2是表示处理单元中包含的劣化程度测量部的第一实施方式的结构的概要图。

图3是表示导电性配管的内部构造的一个例子的截面图。

图4是表示电极附近的结构的截面图。

图5是表示用于测量劣化程度的步骤的时序图。

图6A是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。

图6B是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。

图6C是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。

图6D是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。

图6E是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。

图6F是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。

图7A是表示用于说明劣化程度的测量条件的图表。

图7B是表示用于说明劣化程度的测量条件的图表。