[发明专利]晶体电光开关及其制作方法

说明书

本发明提出一种晶体电光开关及其制作方法。晶体电光开关包括主体部分，具体包括电光晶体主体，沿其轴向两侧端面为晶体第一透光面和晶体第二透光面；凝胶膜：包括设置在第一透光面的第一凝胶膜和设置在第二透光面的第二凝胶膜；窗口片：包括第一窗口片和第二窗口片，每个窗口片均包括第一端面和与第一端面相对的第二端面，第一窗口片的第一端面侧设置在第一凝胶膜侧，第二窗口片的第一端面侧设置在第二凝胶膜侧；沿第一窗口片的外周侧和第二窗口片的外周侧设置有金属电极膜。晶体电光开关的制作方法，对两窗口片增加凝胶膜和金属电极后与晶体主体粘接，通过在晶体主体两侧增加凝胶膜，避免晶体主体与水分子接触，解决晶体电光开关潮解问题。

技术领域

本发明涉及激光器件技术领域，尤其涉及一种晶体电光开关及其制作方法。

背景技术

DKDP电光晶体电光开关是利用DKDP电光晶体的电光效应制成电光Q开光器件。采用DKDP电光晶体制成的电光Q开关具有插入损耗低，消光比高，电光效应性能好，转换效率高等优势，常应用于低重复频率的脉冲固体激光器中。

然而，DKDP电光晶体具有易潮解的特性，使得其在作为电光开关应用中受到限制。传统工艺通常采用DKDP电光晶体腔抽真空或充氮气的手段，解决该晶体制成的电光开关器件的易潮解的问题。然而，此手段不能阻止空气中的水分子缓慢进入DKDP电光晶体腔中的过程，因此，该手段只是延长该晶体所致成电光开关器件的使用寿命。其次，传统工艺将金属电极直接镀制在DKDP电光晶体两端，在镀制金属膜的过程中极易导致晶体潮解。在使用过程中，由于金属膜间距受限，对该金属膜加电压，所形成电场均匀性差，使得该工艺制成的DKDP电光晶体电光开关动态消光比不高。

发明内容

本发明的目的在于解决以上技术问题之一，在结构和工艺方面改进DKDP电光晶体电光开关相关技术，提高晶体电光开关的抗潮解特性和高消光比。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：

本发明一些实施例中，提供一种晶体电光开关，包括开关主体，所述开关主体包括：

电光晶体主体，沿其轴向两侧端面为晶体第一透光面和晶体第二透光面；

凝胶膜：包括设置在第一透光面的第一凝胶膜和设置在第二透光面的第二凝胶膜；

窗口片：包括第一窗口片和第二窗口片，每个窗口片均包括第一端面和与第一端面相对的第二端面，第一窗口片的第一端面侧设置在第一凝胶膜侧，第二窗口片的第一端面侧设置在第二凝胶膜侧；

沿第一窗口片的外周侧和第二窗口片的外周侧设置有金属电极膜。

如权利要求1所述的晶体电光开关，其特征在于：第一窗口片的第二端面侧和和第二窗口片的第二端面侧均设置有增透膜。

本发明一些实施例中：所述晶体光电开关还包括壳体，包括壳体腔，主体部分可插入至壳体腔内；壳体上设置有电极柱，所述电极柱的位置被配置为，当主体部分插入壳体腔后，两个电极柱分别与第一窗口片的金属电极膜及第二窗口片的金属电极膜连接。

本发明一些实施例中：第一凝胶膜覆盖第一透光面，第二凝胶膜覆盖第二透光面，第一凝胶膜和第二凝胶膜的厚度均小于0.002毫米，第一凝胶膜和第二凝胶膜的厚度差小于0.001毫米。

本发明一些实施例中：第一透光面和第二透光面的平面度均小于λ8；

第一窗口片的第一端面及第二窗口片的第一端面的平面度均小于λ8；

其中λ为测量平面度所采用的激光波长。

本发明一些实施例中：设定折射率阈值，电光晶体主体、凝胶膜、窗口片三者中，任意两者之间折射率的差均在折射率阈值范围内。

本发明一些实施例中：进一步提供一种晶体电光开关的制作方法，用于上述晶体电光开关的制作，包括以下步骤：