[发明专利]一种用于5G滤波器表面的薄膜层及其制备方法

权利要求书

1.一种用于5G滤波器表面的薄膜层，其特征在于：包括依次覆盖于5G滤波器（1）表面的Cr层（2）、WC层（3）以及Ni层（4）。

2.一种如权利要求1所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1，清洗5G滤波器（1），并将清洗后的5G滤波器（1）放入真空镀膜室中加热、抽真空；

步骤2，往真空镀膜室中通入氩气，并对5G滤波器（1）表面进行离子清洗；

步骤3，开启Cr靶，采用磁控溅射法在5G滤波器（1）表面沉积Cr层（2）；

步骤4，关闭Cr靶，通入乙炔气体，开启WC靶，采用磁控溅射法在Cr层（2）表面沉积WC层（3）；

步骤5，关闭WC靶，通入氩气，开启Ni弧靶，采用电弧离子镀在WC层（3）表面沉积Ni层（4）。

3.根据权利要求2所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤3中，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-100）-（-150）V，开启Cr靶，设定Cr靶的电流为25-30A，Cr层（2）的沉积时间为10-15min。

4.根据权利要求2所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤4中，关闭Cr靶，通入乙炔气体，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-100）-（-150）V，开启WC靶，设定WC靶的电流为25-30A，WC层（3）的沉积时间为30-40min。

5.根据权利要求2所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤5中，关闭WC靶，通入氩气，控制气压为0.1-0.2Pa，偏压设定为（-100）-（-150）V，开启Ni弧靶，设定Ni弧靶的弧电流为95-105A，Ni层（4）的沉积时间为30-40min。

6.根据权利要求2所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤3中，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-100）-（-150）V，开启Cr靶，设定Cr靶的电流为25-30A，Cr层（2）的沉积时间为10-15min；

所述步骤4中，关闭Cr靶，通入乙炔气体，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-100）-（-150）V，开启WC靶，设定WC靶的电流为25-30A，WC层（3）的沉积时间为30-40min；

所述步骤5中，关闭WC靶，通入氩气，控制气压为0.1-0.2Pa，偏压设定为（-100）-（-150）V，开启Ni弧靶，设定Ni弧靶的弧电流为95-105A，Ni层（4）的沉积时间为30-40min。

7.根据权利要求2-6任一所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，当真空镀膜室中的真空度达5×10^-3-7×10^-3Pa时，通入氩气，并控制气压为0.1-0.2Pa，偏压设定为（-300）-（-400）V，离子清洗60-100s。

8.根据权利要求2-6任一所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，加热至210-250℃并保持温度。

9.一种覆盖有薄膜层的5G滤波器，其特征在于：采用如权利要求2-8任一所述的用于5G滤波器表面的薄膜层的制备方法制备所得。