[发明专利]用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层，其特征在于：包括依次覆盖于金属或金属化合物膜（2）表面的Al₂O₃层（3）、SiO₂层（4）以及防指纹膜层（5）。

2.一种如权利要求1所述的用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1，将表面镀有金属或金属化合物膜（2）的基材（1）投入真空镀膜室中加热、抽真空；

步骤2，往真空镀膜室中通入氩气，并对镀有金属或金属化合物膜（2）的基材（1）进行离子清洗；

步骤3，通入氧气，并开启Al靶，采用磁控溅射法在金属或金属化合物膜（2）表面沉积Al₂O₃层（3）；

步骤4，关闭Al靶，开启Si靶，采用磁控溅射法在Al₂O₃层（3）表面沉积SiO₂层（4）；

步骤5，关闭氩气以及氧气，关闭Si靶，采用真空蒸发镀膜在SiO₂层（4）表面沉积防指纹膜层（5）。

3.根据权利要求2所述的用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤3中，通入氧气，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-50）-（-70）V，Al靶的电流设定为15-18A，沉积Al₂O₃层（3）3-5min。

4.根据权利要求2所述的用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤4中，关闭Al靶，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-50）-（-70）V，开启Si靶，Si靶的电流设定为12-15A，沉积SiO₂层（4）5-7min。

5.根据权利要求2所述的用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤5中，关闭氩气以及氧气，关闭Si靶，调整蒸发电流为60-80A，沉积防指纹膜层（5）20-25min。

6.根据权利要求2所述的用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤3中，通入氧气，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-50）-（-70）V，Al靶的电流设定为15-18A，沉积Al₂O₃层（3）3-5min；

所述步骤4中，关闭Al靶，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-50）-（-70）V，开启Si靶，Si靶的电流设定为12-15A，沉积SiO₂层（4）5-7min；

所述步骤5中，关闭氩气以及氧气，关闭Si靶，调整蒸发电流为60-80A，沉积防指纹膜层（5）20-25min。

7.根据权利要求2-6任一所述的用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤3以及步骤4中的Si靶以及Al靶均采用中频磁控溅射镀膜电源。

8.根据权利要求2-6任一所述的用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，当真空镀膜室中的真空度达5×10^-3-7×10^-3Pa时，通入氩气，使气压达到0.1-0.3Pa，偏压设定为（-300）-（-400）V，离子清洗20-40s。

9.根据权利要求2-6任一所述的用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤1中加热至100-150℃并保持温度。

10.一种覆盖有防指纹涂层的表面镀有金属或金属化合物膜的基材，其特征在于：采用如权利要求2-9任一所述的用于金属或金属化合物膜表面的防指纹涂层的制备方法制备所得。